クイックメモリ モジュール

メモリ: 8, 32, 4, 16 GB

DDR4 UDIMMはロープロファイル設計と3200MT/sの業界最高のメモリー速度を誇ります。あらゆる監視、自動化、組込みアプリケーションに適合します。モジュールは該当する全てのJEDEC規格に準拠しており、4GB/8GB/16/32GBの容量、および2133MT/s, 2400MT/s, 2666MT/s, and 2933 MT/sのデータ転送レートをご選択いただけます。

メモリ: 1 MB

オン・セミコンダクターのシリアル SRAM ファミリには、内部的に 8 ビットで 128 K ワードとして編成されたこの 1Mb シリアル・アクセス静的ランダム・アクセス・メモリを含むいくつかの統合メモリ・デバイスが含まれています。これらのデバイスは、オン・セミコンダクターの高度な CMOS テクノロジを使用して設計および製造され、高速性能と低電力の両方を提供します。デバイスはシングルチップ・セレクト (CS) 入力で動作し、シンプルなシリアル・ペリフェラル・インタフェース ...

メモリ: 16, 128, 64 GB

... 放熱性を強化した高速DRAM 最速DRAMソリューション SK hynixの1nm 16Gb HBM2Eは、I/O速度3.6Gbpsの業界最速メモリで、1,024本のI/Oを使用して1秒間に460GBのデータを処理します。従来のHBM2よりも放熱性が36%向上した当社の新しいHBM2Eは、システムにとって堅牢な性能を備えた真に効率的なメモリです。 HBM性能の傾向 SK hynixは、さらに高速なHBMソリューションへの意欲をもってHBM市場をリードしています：開発中の当社のHBM3は、ピンあたり6.4Gbpsの速度で819GB/秒以上のデータ処理が可能になります。DDRやGDDRと同じ作業負荷に対して2倍以上の電力効率を持つHBMは、全体的なTCOを削減し、当社のMemory ...

メモリ: 2, 4, 8 GB

... DDR3 SO-DIMM SDRAM モジュールは、高速 CMOS ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ・モジュールで、内部で構成された 8 バンクの DDR3 SDRAM デバイスを使用します。DDR3 SDRAM モジュールは、高速動作を実現するために DDR アーキテクチャを使用しています。DDR3アーキテクチャは、基本的に8nプリフェッチ・アーキテクチャであり、1クロック・サイクルあたり2つのデータ・ワードをI/Oピンで転送するように設計されたインターフェースを備えています。DDR3 ...

メモリ: 4, 8, 16, 32, 128 GB

ATPの第4世代の産業用DDRメモリは、最大2666MT / sのデータ転送速度とわずか1.2Vの消費電力を兼ね備え、従来のDRAMテクノロジよりも高速で高性能なパフォーマンスを実現します。 DDR3からの進化としてDDR4はオンライントラフィックの増加をサポートするために帯域幅機能を向上させるのに適した機能をサポートしています。 DDR4-2666 MT / sは、最新のインテル®Xeon®プラチナ、ゴールド、シルバーおよびブロンズ・スケーラブル・プロセッサーおよび第8世代インテル®Core™i7 ...