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電圧: 60 V
... NPNエピタキシャルシリコントランジスタ 応用例 本製品は汎用品であり、様々な用途に適しています。 ...
電流: 81 A
電圧: 1,200 V
SCT4シリーズは短絡耐量時間を改善し、業界トップクラスの低オン抵抗を実現した第4世代の製品です。このシリーズは従来品に比べてオン抵抗を約40%、スイッチング損失を約50%低減しています。また、ゲート-ソース間電圧がより扱いやすい15Vにも対応しており、アプリケーションの設計しやすさが向上しています。
ROHM Semiconductor/半導体・電子部品のローム
電流: 51 A
電圧: 750 V
SCT4シリーズは短絡耐量時間を改善し、業界トップクラスの低オン抵抗を実現した第4世代の製品です。このシリーズは従来品に比べてオン抵抗を約40%、スイッチング損失を約50%低減しています。また、ゲート-ソース間電圧がより扱いやすい15Vにも対応しており、アプリケーションの設計しやすさが向上しています。
ROHM Semiconductor/半導体・電子部品のローム
電流: 75 A
電圧: 1,200 V
SCT4シリーズは短絡耐量時間を改善し、業界トップクラスの低オン抵抗を実現した第4世代の製品です。このシリーズは従来品に比べてオン抵抗を約40%、スイッチング損失を約50%低減しています。また、ゲート-ソース間電圧がより扱いやすい15Vにも対応しており、アプリケーションの設計しやすさが向上しています。
ROHM Semiconductor/半導体・電子部品のローム
電流: 31 A
電圧: 750 V
SCT4シリーズは短絡耐量時間を改善し、業界トップクラスの低オン抵抗を実現した第4世代の製品です。このシリーズは従来品に比べてオン抵抗を約40%、スイッチング損失を約50%低減しています。また、ゲート-ソース間電圧がより扱いやすい15Vにも対応しており、アプリケーションの設計しやすさが向上しています。
ROHM Semiconductor/半導体・電子部品のローム
電流: 24 A
電圧: 1,200 V
SCT4シリーズは短絡耐量時間を改善し、業界トップクラスの低オン抵抗を実現した第4世代の製品です。このシリーズは従来品に比べてオン抵抗を約40%、スイッチング損失を約50%低減しています。また、ゲート-ソース間電圧がより扱いやすい15Vにも対応しており、アプリケーションの設計しやすさが向上しています。
ROHM Semiconductor/半導体・電子部品のローム
電流: 98 A
電圧: 750 V
SCT4シリーズは短絡耐量時間を改善し、業界トップクラスの低オン抵抗を実現した第4世代の製品です。このシリーズは従来品に比べてオン抵抗を約40%、スイッチング損失を約50%低減しています。また、ゲート-ソース間電圧がより扱いやすい15Vにも対応しており、アプリケーションの設計しやすさが向上しています。
ROHM Semiconductor/半導体・電子部品のローム
電流: 34 A
電圧: 750 V
SCT4シリーズは短絡耐量時間を改善し、業界トップクラスの低オン抵抗を実現した第4世代の製品です。このシリーズは従来品に比べてオン抵抗を約40%、スイッチング損失を約50%低減しています。また、ゲート-ソース間電圧がより扱いやすい15Vにも対応しており、アプリケーションの設計しやすさが向上しています。
ROHM Semiconductor/半導体・電子部品のローム
電流: 31 A
電圧: 750 V
SCT4系列是改善了短路耐受时间并实现了业界超低导通电阻的第4代产品。与以往产品相比，该系列产品的导通电阻降低了约40%，开关损耗降低了约50%。另外，该产品还支持更容易处理的15V栅-源电压，使应用产品的设计更容易。
ROHM Semiconductor/半導体・電子部品のローム
電流: 26 A
電圧: 1,200 V
のNch SiCパワーMOSFETです。トレンチ構造によりオン抵抗を低減しています。AEC-Q101に準拠した高信頼性の車載グレード製品です。 ロームの第4世代SiC MOSFET SCT4シリーズは短絡耐量時間を改善し、業界トップクラスの低オン抵抗を実現した第4世代の製品です。このシリーズは従来品に比べてオン抵抗を約40%、スイッチング損失を約50%低減しています。また、ゲート-ソース間電圧がより扱いやすい15Vにも対応しており、アプリケーションの設計しやすさが向上しています。
ROHM Semiconductor/半導体・電子部品のローム
電流: 24 A
電圧: 1,200 V
のNch SiCパワーMOSFETです。トレンチ構造によりオン抵抗を低減しています。AEC-Q101に準拠した高信頼性の車載グレード製品です。 ロームの第4世代SiC MOSFET SCT4シリーズは短絡耐量時間を改善し、業界トップクラスの低オン抵抗を実現した第4世代の製品です。このシリーズは従来品に比べてオン抵抗を約40%、スイッチング損失を約50%低減しています。また、ゲート-ソース間電圧がより扱いやすい15Vにも対応しており、アプリケーションの設計しやすさが向上しています。
ROHM Semiconductor/半導体・電子部品のローム
電流: 24 A
電圧: 1,700 V
... 高精細CRTディスプレイ用に開発された「Enhanced High Voltage Structure」（EHVS1）を採用した「Diffused Collector in Planar」技術を採用しています。 このHDシリーズは、シリコン効率を向上させることで、水平偏向ステージの性能を向上させています。 すべての特徴 最先端技術：拡散コレクター "エンハンスドジェネレーション "EHVS1 動作温度変化の影響を受けにくい 最適な駆動条件をより広く提供 U.L.規格に準拠した完全絶縁型パワーパッケージ ...
電圧: 45 V
... 説明: セントラルセミコンダクタル BCX51、BCX52、BCX53は、 エピタキシャル平面プロセスで製造されたPNPシリコントランジスタで、表面実装パッケージでエポキシ成形され、大電流汎用アンプアプリケーション向けに設計されています。 ...
Central Semiconductor
電圧: 50 V
... 説明: 中央セミコンダクターCMPT5086、CMPT50 86B、およびCMPT5087は、 エピタキシャル平面プロセスで製造されたシリコンPNPトランジスタで、エポキシは 表面実装パッケージで成形され、 高ゲインと低ノイズを必要とするアプリケーション向けに設計されています。 マーキングコード：C2P： C2B：C2B ：C2Q ...
Central Semiconductor
電圧: 60 V
... 説明: セントラルセミコンダクターBCV47は、エピタキシャル平面プロセスで製造されたシリコンNPNダーリントントランジスタで、表面実装パッケージでエポキシ成形され、非常に高い利得を必要とするアプリケーション向けに設計されています。 マーキングコード:FG。 ...
Central Semiconductor
... 説明: セントラルセミコンダクタ CMPFJ175およびCMPFJ176は、 低レベルアンプ用途向けに設計されたSOT-23ケースで製造されたエポキシ成形PチャネルJFETです。 マーキングコード： CMPFJ175：6W CMPFJ176：6X ...
Central Semiconductor
電圧: 30 V
... 説明: セントラルセミコンダクタ CMPFJ175およびCMPFJ176は、 低レベルアンプ用途向けに設計されたSOT-23ケースで製造されたエポキシ成形PチャネルJFETです。 マーキングコード： CMPFJ175：6W CMPFJ176：6X ...
Central Semiconductor
電圧: 40 V
... 説明: セントラルセミコンダクタCMPP6027およびCMPP6028は、シリコンプログラマブルユニジャンクショントランジスタで、表面実装SOT-23パッケージで製造され、谷電流（IV）、ピーク電流（IP）、固有スタンドオフ比（η）などの調整可能な（プログラマブル）特性用に設計されています。 マーキングコード： CMPP6027：P27 CMPP6028：P28 ...
Central Semiconductor
電流: 200 mA
電圧: 40 V
... 説明: セントラルセミコンダクタ CMLM0405は、 省スペースのSOT-563ケースにパッケージされた単一のNPNトランジスタおよびショットキーダイオードで、サイズと動作効率が最たる要件となる小信号汎用アプリケーション向けに設計されています。 • 補完デバイス：CMLM0605 • 低VCE（SAT）トランジスタと低VFショットキーダイオードマーキングコード:C45 ...
Central Semiconductor
電流: 1 A
電圧: 25, 40, 6 V
... 概要： セントラルセミコンダクタ CTLM1034-832Dは、低VCE（SAT）NPNトランジスタと低VFショットキー整流器で構成されています。小型で熱効率の高いリードレス3x2mm表面実装ケースにパッケージされており、小型、運用効率、低エネルギー消費が主な要件であるアプリケーション向けに設計されています。リードレスパッケージ設計により、 同等のサイズの表面実装パッケージにおいて、同等のデバイスの最大4倍の電力を消費することができます。 マーキングコード：CFC ...
Central Semiconductor
電流: 1 A - 5 A
電圧: 12 V - 400 V
... ダイオードは、バイポーラトランジスタの市場リーダーです。 社内パッケージングと優れたシリコン技術の幅広いラインアップを活用することで、ダイオードは、バイポーラ・トランジスタのアプリケーション・ニーズを満たす理想的な位置にあります。 継続的イノベーション バイポーラ・トランジスタのポートフォリオは、革新的なマトリックス・エミッタ・プロセスの連続した世代に基づいて構築されています。 長年にわたるノウハウ、最先端の設計、プロセスイノベーションにより、超低飽和、高速スイッチングトランジスタの構築におけるリーダーシップが拡大しました。 ...
Diodes Incorporated
電圧: 50, 100 V
... FMMT413は、アバランシェ・モード動作に最適化されたNPNシリコン平面バイポーラ・トランジスタです。 厳密なプロセス制御と低インダクタンス・パッケージングを組み合わせることで、高速エッジを備えた高電流パルスを生成し、レーザ・ダイオード駆動に最適です。 特長と利点 • 雪崩モード動作 • 50Aピークアバランシェ電流 • 低インダクタンスパッケージ アプリケーション • レーザーLEDドライバ • 高速エッジ生成 • 高速パルス発生器 ...
Diodes Incorporated
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