高インパルスコンデンサ

静電容量: 10 µF - 600 µF
電圧: 250 V - 480 V

... ダイオードやタイリスタのスイッチングが異なる振動を引き起こす可能性がある、50～500Hz（場合によっては5kHz）の交流電圧と周波数を持つパワーエレクトロニクス機器に使用される。 KNI 3xxx - パワーエレクトロニクス用コンデンサ - 直流（AC/DC） - パワーエレクトロニクス機器（通常は整流子）のインパルスコンデンサ、フィルタリングコンデンサ、平滑コンデンサとして使用されます。 KNI 20xx-パワーエレクトロニクス用コンデンサ ...

静電容量: 5 µF - 100 µF
電圧: 800 V - 1,000 V

... 主な特徴 1.高い脈拍の流れに抗できます。 2.高い RMS の流れに抗できます。 3.高い信頼性、長い耐用年数。 アプリケーションフィールド 1.周波数変換器。 2.コンバータ。 3.無停電電源装置 4.産業ドライブ。 技術的なパラメータ 容量範囲 5μF ～ 100μF（25℃） ←これは、「5μF」と「100μF」の違いです。 定格電圧 800VDC～ 1000VDC 偏差値の容量 ±10% (標準)、±5% (ご要望に応じて) 誘電体 メタライズドポリプロピレン 誘電損失 tanδ≤0.0006（1000Hz，25℃） ...

静電容量: 0.1 µF - 6.8 µF
電圧: 700 V - 3,000 V

... 主な特徴 1.高パルス電流に耐えることができます。 2.高いRMSの流れに耐えることができます。 3.高い信頼性、長い耐用年数。 アプリケーションフィールド 1.周波数変換器。 2.コンバーター。 3.無停電電源。 4.産業用ドライブ。 性能パラメータ 容量範囲 0.1μF～6.8μF（25℃） 1μF～6.8μF（25℃） 1μF～6.8μF（25℃） 1μF～6.8μF（25℃） 1μF～6.8μF（25℃） 1μF～6.8μF（25℃） ...

... E53およびE55コンデンサは、特に低い直列抵抗と高いパルス強度を備えています。 洗練されたメタライズパターン、当社のSINECUTスリット技術、巧妙な巻線形状を使用して、GTOサイリスタおよび高 rms 電流の低インダクタンスバッファ回路の減衰に特に適しています。 容量に対する容量の比が非常に良好であるとともに、これらの部品は容量を失うことなく、非常に良好な自己修復特性を有する。 非常に低い自己インダクタンスにより、中周波数の大電流アプリケーションでの使用に適しています。 ...

静電容量: 0.001 µF - 1.5 µF
電圧: 630 V - 2,000 V

... 一般的な技術的特徴 参照規格 : IEC 61071 気候のカテゴリ。 40/85/56 誘電体：ポリプロピレンフィルム 構造 : 内部直列接続の延長両面メタライズキャリアフィルム とメタライズされたフィルム 特徴。 高いパルス電流。低いインダクタンス。自己回復 コーティング 樹脂封止の耐衝撃性プラスチックケース、難燃性 実行(UL94V0) 電気的特性 働く温度: -40 から + 85℃（最高の hotspot≤70℃）への 保存温度: ...

静電容量: 0.47, 0.1 µF
電圧: 250, 275 V

... 信頼性、家電製品 に最も使用されるコンパクト、取り付けが簡単、 低リーク電流と高い挿入損失 CE。承認 ...