高出力アンプ
出力: 60 W
... ERBIUM-DOPED FIBER AMPLIFIER (EDFA) ネプテックのエルビウム添加ファイバアンプ(EDFA)モジュールは、光ネットワークの信号増幅と長期信頼性を目的として設計されています。ネプテックのEFDAおよび偏波維持(PM)EFDAモジュールは、ノイズと消費電力を最小限に抑えながら30dBM以上の出力を実現しています。APC(自動電源制御)、AGC(自動利得制御)、ACC(自動電流制御)システムがアンプに組み込まれており、システムの統合と安定性を確保しています。 ネットワークはそれぞれ異なります。ネプテックでは、当社が販売するすべての製品が、どのような光ファイバーアプリケーションにも適合するように高度なカスタマイズが可能であることを保証しています。下記の標準EDFAがお客様のアプリケーションに合わない場合は、お客様の仕様を検討し、カスタムEDFAのお見積もりをさせていただきます。 主な特徴 - ...
neptec optical solutions
周波: 71 GHz - 86 GHz
... フィルトロニクスの Hades アクティブ・ダイプレクサーの製品群により、OEM(相手先商標製品製造会社)は E バンド無線のコストを削減しながら、RF 性能を大幅に向上させることができます。 当社のアクティブ・ダイプレクサは、Eバンド・ダイプレクサ内に設定可能な範囲のGaAs PAとLNAを組み込み、サイズと重量を削減しながら性能を最大化することができます。 アクティブダイプレクサは、市販のSMT対応パッケージGaAs/SiGeアップ/ダウンコンバータソリューションと組み合わせて使用することができ、表面実装製品よりも高い性能を得ることができます。これにより、お客様は無線機構を変更することなく、設定可能な「標準出力」と「高出力」のEバンドリンクを展開することができます。 アクティブダプレクサは、送信電力校正とALCを容易にするために、送信電力検出器を内蔵しています。指定された場合、モジュールは、Txディテクタ対周波数/電力およびRxゲイン情報を内蔵I2C ...
電圧: 0 kV - 2 kV
電流: 0 mA - 200 mA
... モデルPZD2000Aは、高精度高出力アプリケーションに使用される広帯域幅の高電圧パワーアンプです。 このアンプは、高い信頼性と低ノイズ動作を実現するオールソリッドステート設計を採用しています。 4 象限の出力段シンクと、出力電圧範囲全体にわたるソースの負荷電流により、高容量負荷でも正確な出力応答と高スルーレートを実現します。 主な仕様 出力電圧:0 ~ ± 2kV DCまたはピークAC 出力電流:0 ~ ± 200mAのDCまたは ± 400mAのピークAC ...
出力: 20 W - 500 W
周波: 500 kHz - 5,000 kHz
... HIFUマルチチャンネルアンプ ユーザーアプリケーション用 - 組織トリプシー - サーマルアブレーション - ソノダイナミック治療 - 治療デリバリー - ソノポレーション - 遺伝子治療 - 心臓病学 - 神経学 - 腫瘍学 - クレンジング 超音波治療専用に設計された当社のアンプは、瞬時にコントロールでき、高度にカスタマイズ可能なソリューションです。 最大32の同期チャンネルをサポートし、周波数範囲は最大5 MHz、出力はチャンネルあたり400 WRMSです。 信号発生器と外部トリガー機能を内蔵しており、熱アブレーション、組織トリプシー、ソノダイナミックセラピー、標的治療デリバリーなどの用途に適しています。 治療の精度と安全性を保証するため、このプラットフォームにはNexTgenソフトウェアが搭載されており、出力パワーのリアルタイムモニタリングとキャビテーション効果の測定が可能です。 ...
電圧: 200 V - 480 V
出力: 0 W - 5,000 W
周波: 80.5 Hz - 644 Hz
電圧: 0 V - 1,000 V
電流: 7 A
出力: 7,000 W
... ダイナミックな動作を可能にする最高のパワー - 大型アクチュエーター用 - 出力電流:7A - 出力電圧: 0 ...1000 V - 帯域幅:2,000 Hz - 容量2μF以上のアクチュエータ用 高電圧スイッチングアンプRCV 1000/7は、ピエゾシステムイエナのピエゾコンポジットアクチュエータや、2 µF以上の容量を持つその他の静電容量負荷での使用に特化して設計されています。RCV 1000/7は、最大1000 Vの出力電圧と7 Aの出力電流を生成します。 スイッチング・アンプRCV ...
デジタル時代の実現を可能にするEUVリソグラフィ EUVリソグラフィは将来のマイクロチップの製造方法として、先頭を切っています。半導体業界は何年にもわたって、小型化が今後も進むシリコンウェーハ上構造の露光を可能にする、費用効率が高く量産に適した方法を探し求めてきました。ASML、ZeissとTRUMPFは共同で、産業使用に適した波長13.5 nmの極端紫外線 (EUV) を得る技術を開発しました。この技術では真空チャンバー内で、液滴ジェネレータが錫の微小液滴を毎秒50,000個射出します。これらの液滴それぞれに50,000個のレーザーパルスの一つが当たることで、液滴がプラズマに変化します。それにより発生したEUV光を、露光の対象となるウェーハにミラーを使用して向けます。プラズマ放射用のレーザーパルスは、TRUMPFが開発したパルス対応型CO2レーザー装置であるTRUMPFレーザー増幅器から発せられます。 数ワットから40キロワットへ TRUMPFレーザー増幅器は、レーザーパルスを順次10,000倍以上に増幅します。 高い効率とプロセス安全性 プレパルスとメインパルスを放出することで、レーザー増幅器のフル出力を錫液滴に伝えることができます。 CO2レーザーの新しい用途 高出力レーザーシステムの基礎は、連続波モードで稼働するCO2レーザーです。TRUMPFはこれにより、同技術の新しい用途を生み出したことになります。 スペシャリストの大きなネットワーク TRUMPF、ASMLとZEISSは長年にわたる密接な協力体制のもとで、EUV技術を産業界に適したレベルに引き上げました。
... Maxphotonics 5W、20W 偏光維持アンプは、高い出力偏光消光比と強力な安定力を備えています。 出力偏光消光比 is16dB 以上、高出力安定性、その設計と構成は、主にコヒーレント合成、光ファイバーセンシング、レーザレーダーやその他の科学的研究で使用される高い信頼性を確保します。 製品の特徴 ■ 高出力偏光消光比 ■ 高出力安定性 ■ 高品質レーザー出力 ■ 高安定性・長寿命 ...
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