電界効果MOSFET モジュール

電流: 5 A
電圧: 4.5 V - 36 V

BD9F500QUZは低ON抵抗のパワーMOSFETを内蔵した同期整流降圧DC/DCコンバータです。最大5Aの電流を出力することが可能です。固定オンタイム制御方式を採用しており、高速な負荷応答性能を持ちます。軽負荷モード制御により、軽負荷での効率が改善されるため、待機時電力を抑えたい機器に最適です。パワーグッド機能を有しており、システムのシーケンス制御が可能です。小型パッケージにより、高電力密度で実装面積の削減が可能です。 1ch同期整流降圧DC/DCコンバータ ...

電流: 280 mA

... 概要： セントラルセミコンダクタ CMLM0205は、シングル NチャネルMOSFETと低VFショットキーダイオードで構成されるマルチディスクリートモジュール™ で、省スペースのSOT-563ケースにパッケージされています。この デバイスは、サイズと動作効率が主要な要件である小信号汎用アプリケーション向けに設計されています。 • 組み合わせ： NチャネルMOSFETと 低VFショットキーダイオード。 ...

電流: 650 mA
電圧: 40 V

... 説明: セントラルセミコンダクタ CMLM0575は、シングルNチャネルエンハンスメントモードMOSFETと低VFショットキーダイオードで構成されるマルチディスクリートモジュール™ で、省スペースのSOT-563表面実装ケースにパッケージされています。このデバイスは、サイズと動作効率が主要な要件である小信号汎用アプリケーション向けに設計されています。 特徴: • 大電流MOSFET (ID=650mA) • 最大2kVのESD保護 • 低RDS (ON) ...

電流: 7 A - 12.7 A
電圧: 30 V

... DIOFETは、パワーMOSFETとショットキー・ダイオードを組み合わせて単一のシリコン・チップにモノリシックに統合する独自のプロセスです。 内蔵のショットキーは、ボディ・ダイオードの順方向電圧降下をほぼ 50% 低減し、逆回復電荷も低減します。 このことは、導電損失とスイッチング損失が減少することを意味し、回路全体が動作温度を下げてより高い効率で動作することを意味します。 さらに、DIOFETは堅牢なアバランシェ・プロセスであり、これらのデバイスはゲート容量比が低く、シュートスルー電流のリスクを低減します。 ...

電流: 0 A - 0.2 A
電圧: 11 V - 45 V

... -96または48のハイサイド・パワーMOSFET出力 -Tru-Iso™ I/O-to-PC 3.75kVrms光絶縁型 -5.5" × 5.75", -IOB-96はUSB-DIO-96-OEMに直接接続可能 -IOB-48は、USB-DIO-48-OEMおよびETH-DIO-48-OEMに直接嵌合可能 -工業用動作温度 (-25°C to +85°C) IOB-96およびIOB-48光絶縁FET出力アクセサリボードは、既存のTTL/CMOS ...