高速回収ダイオード モジュール
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DC電圧: 350 V
逆電圧: 350 V
RFN5BGE3Sは一般整流用途のファストリカバリダイオードです。 特長: 低逆回復損失 高電流耐量
ROHM Semiconductor/半導体・電子部品のローム
DC電圧: 600 V
逆電圧: 600 V
RFN20TJ6SFHGは車載グレードの高信頼性ファストリカバリダイオードです。 特長: •低Vf •低逆回復損失 •高電流耐量
ROHM Semiconductor/半導体・電子部品のローム
DC電圧: 400 V
逆電圧: 400 V
RF201LAM4STFは一般整流用途に最適な車載グレードの高信頼性ファストリカバリダイオードです。 特長: •低Vf •低逆回復損失 •高電流耐量
ROHM Semiconductor/半導体・電子部品のローム
RF202LAM2Sは低VFかつ低逆回復損失が特長のスーパーファストリカバリダイオードです。一般整流用途に最適です。 特長: •低Vf •低逆回復損失 •高電流耐量
ROHM Semiconductor/半導体・電子部品のローム
DC電圧: 400 V
逆電圧: 400 V
RF101LAM4STFは一般整流用途に最適な車載グレードの高信頼性ファストリカバリダイオードです。 特長: •低Vf •低逆回復損失 •高電流耐量
ROHM Semiconductor/半導体・電子部品のローム
... 高速回復ダイオードモジュール 特徴 - 超高速回復 - 最大接合部温度175℃まで - 順方向電圧降下が小さい 代表的なアプリケーション - インバータ溶接電源 - 通信用電源 - 各種スイッチング電源 注意事項。VFMは25℃の場合、その他は特に記載がない限りTj=Tjmの場合です。 ...
逆電圧: 10 kV - 300 kV
... 製品の特徴 1.低リーク、低消費電力、高サージ容量。 2. 効率的な高速応答時間。 3. Tj動作ジャンクション温度範囲-40〜+175。 4. 逆雪崩破壊保護。 5. ポリイミド不動態化技術。 6. 成形プラスチックボディ、成形射出技術。 7. ROHS準拠。 ...
Anshan Leadsun Electronics Co.Ltd
逆電圧: 10 kV - 300 kV
... 製品の特徴 1.低リーク、低消費電力、高サージ容量。 2. 効率的な高速応答時間。 3. Tj動作ジャンクション温度範囲-40〜+175。 4. 逆雪崩破壊保護。 5. ポリイミド不動態化技術。 6. 成形プラスチックボディ、成形射出技術。 7. ROHS準拠。 ...
Anshan Leadsun Electronics Co.Ltd
逆電圧: 10 kV - 300 kV
... 製品の特徴 1.低リーク、低消費電力、高サージ容量。 2. 効率的な高速応答時間。 3. Tj動作ジャンクション温度範囲-40〜+175。 4. 逆雪崩破壊保護。 5. ポリイミド不動態化技術。 6. 成形プラスチックボディ、成形射出技術。 7. ROHS準拠。 ...
Anshan Leadsun Electronics Co.Ltd
逆電圧: 10 kV - 300 kV
... 製品の特徴 1.低リーク、低消費電力、高サージ容量。 2. 効率的な高速応答時間。 3. Tj動作ジャンクション温度範囲-40〜+175。 4. 逆雪崩破壊保護。 5. ポリイミド不動態化技術。 6. 成形プラスチックボディ、成形射出技術。 7. ROHS準拠。 ...
Anshan Leadsun Electronics Co.Ltd
逆電圧: 10 kV - 300 kV
... 製品の特徴 1.低リーク、低消費電力、高サージ容量。 2. 効率的な高速応答時間。 3. Tj動作ジャンクション温度範囲-40〜+175。 4. 逆雪崩破壊保護。 5. ポリイミド不動態化技術。 6. 成形プラスチックボディ、成形射出技術。 7. ROHS準拠。 ...
Anshan Leadsun Electronics Co.Ltd
逆電圧: 10 kV - 300 kV
... 製品の特徴 1.低リーク、低消費電力、高サージ容量。 2. 効率的な高速応答時間。 3. Tj動作ジャンクション温度範囲-40〜+175。 4. 逆雪崩破壊保護。 5. ポリイミド不動態化技術。 6. 成形プラスチックボディ、成形射出技術。 7. ROHS準拠。 ...
Anshan Leadsun Electronics Co.Ltd
逆電圧: 10 kV - 300 kV
... 製品の特徴 1.低リーク、低消費電力、高サージ容量。 2. 効率的な高速応答時間。 3. Tj動作ジャンクション温度範囲-40〜+175。 4. 逆雪崩破壊保護。 5. ポリイミド不動態化技術。 6. 成形プラスチックボディ、成形射出技術。 7. ROHS準拠。 ...
Anshan Leadsun Electronics Co.Ltd
逆電圧: 10 kV - 300 kV
... 製品の特徴 1.低リーク、低消費電力、高サージ容量。 2. 効率的な高速応答時間。 3. Tj動作ジャンクション温度範囲-40〜+175。 4. 逆雪崩破壊保護。 5. ポリイミド不動態化技術。 6. 成形プラスチックボディ、成形射出技術。 7. ROHS準拠。 ...
Anshan Leadsun Electronics Co.Ltd
逆電圧: 5 kV - 200 kV
... 製品の特徴 1.低リーク、低消費電力、高サージ容量。 2. 効率的な高速応答時間。 3. Tj動作ジャンクション温度範囲-40〜+175。 4. 逆雪崩破壊保護。 5. ポリイミド不動態化技術。 6. 成形プラスチックボディ、成形射出技術。 7. ROHS準拠。 ...
Anshan Leadsun Electronics Co.Ltd
逆電圧: 5 kV - 200 kV
... 製品の特徴 1.低リーク、低消費電力、高サージ容量。 2. 効率的な高速応答時間。 3. Tj動作ジャンクション温度範囲-40〜+175。 4. 逆雪崩破壊保護。 5. ポリイミド不動態化技術。 6. 成形プラスチックボディ、成形射出技術。 7. ROHS準拠。 ...
Anshan Leadsun Electronics Co.Ltd
DC電圧: 1.1 V
逆電圧: 400 V
... 説明 SFM200CC4A2Dモジュールは、低順方向電圧と低回復損失で、溶接機に最適な性能を提供します。 特長 ♦ 超高速逆回復時間 ♦ ソフト逆回復特性 ♦ 低い逆回復損失 ♦ 低順電圧 ♦ 高サージ電流能力 ♦ 低インダクタンスパッケージ ...
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
DC電圧: 2.6 V
逆電圧: 600 V
... 説明 RFR30F60PNは、高度なシリコン平面エピタキシャル技術で製造された超高速リカバリダイオードです。 プロセス・パラメータとデバイス構造は、順方向電圧降下と逆回復時間の最適化された性能で微調整されています。 正確なエピタキシャルドープ制御、高度な平面接合端子構造、プラチナドープされたライフコントロールは、最高の全体的な性能、耐久性、信頼性を保証します。 RFR30F60T2/PNは、SMPS、UPS、DC-DCコンバータの出力整流段階、および低電圧インバータおよびチョッパモータドライバのフリーホイールダイオードでの使用を目的としています。 ...
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
DC電圧: 0.9 V
逆電圧: 300 V
... 一般説明 RFR60F30APNは、高度なシリコン平面エピタキシャル技術で製造された超高速リカバリダイオードです。 プロセス・パラメータとデバイス構造は、順方向電圧降下と逆回復時間の最適化された性能で微調整されています。 正確なエピタキシャルドープ制御、高度な平面接合端子構造、プラチナドープされたライフコントロールは、最高の全体的な性能、耐久性、信頼性を保証します。 SFR60F30PNは、SMPS、UPS、DC-DCコンバータの出力整流段階、および低電圧インバータおよびチョッパモータドライバのフリーホイールダイオードでの使用を意図しています。 ...
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
DC電圧: 1, 1.15 V
逆電圧: 400 V
... 特徴 超高速リカバリー 175℃動作ジャンクション温度 高周波動作 低電力損失、低RFIおよびEMI 低いIR値 高サージ容量 エピタキシャルチップ構造 ...
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
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