整流ダイオード ブリッジ

逆電圧: 50 V - 1,000 V

... 当社のブリッジ整流器のポートフォリオには、表面実装型とスルーホール型があります。高電力ブリッジ整流器は、高電流密度isoCink+TM PBおよびBUパッケージシリーズで定格電流10Aから45Aまで、低VFプレーナGen 2ダイ技術はGBUパッケージで産業用アプリケーションにご利用いただけます。 特長 UL認定、ファイル番号E54214 プリント回路基板に最適 典型的なIRは0.5 µA未満 用途 AC/DCブリッジ全波整流、電源、アダプター、充電器、コンシューマー用照明バラスター、家庭用電化製品などの汎用用途。 ...

逆電圧: 40 V - 100 V

... 説明: セントラルセミコンダクターCBRHDSH1-100は、耐久性のあるエポキシ表面実装成形ケースに収まる全波ブリッジ整流器で、低電圧全波整流用途向けに設計されています。この装置で使用される成形コンパウンドは、UL可燃性分類94V-Oです。 マーキングコード:CSH110 特徴: • 低リーク電流 (40nA TYP @ VRRM) • 低順方向電圧降下ショットキーダイオード • 高1.0A定格電流 ...

逆電圧: 400 V

... 説明: CRETRAL セミコンダクターCBRLD1シリーズは、 ガラスパッシベーションチップを採用した薄型エポキシ表面実装成形ケースに実装された全波シリコンブリッジ整流器です。 アプリケーション： • ソリッドステート照明（SSL） • 電源入力整流 • ステアリングダイオードアレイ の特徴： • 低リーク電流（最大10μA @VRRM） • 薄型ケース（最大1.45mm） ...

逆電圧: 100 V

... 単相ダイオードブリッジ整流器 AMB 25-01AS ENERGITMは、単相ダイオードブリッジSKB 25/01 07238680 Semikronの代替、アナログ、代替、等価半導体デバイスです。出力直流電流ID - 17アンペア、繰り返しピーク逆電圧VRRM - 100V。交流電流が回路の入力「～」に供給されます。その結果、出力「＋」と「-」では、入力電流の2倍の周波数で脈動する電流が得られます。単相ダイオードブリッジの特長：低オン状態損失、高逆電圧および高電流処理能力、絶縁金属ベースプレートおよびファストオン・コネクタ付き正方形プラスチックケース、容易なシャーシ取り付け、高サージ電流。主な用途は、電源用整流器、可変周波数ドライブ用入力整流器、直流モーターフィールド電源用整流器、バッテリー充電器整流器。単相ダイオードブリッジAS ...

... 特長 -ネジ端子付きパッケージ -平面パッシベーテッドチップ -低順方向電圧降下 -絶縁電圧 2500V ~ -最大 1800Vのブロッキング電圧 -高サージ電流 典型的なアプリケーション -DC 電源装置用電源 -バッテリDC 電源 -入力 PWMインバータ用整流器 -DCモータ用フィールド供給 ...

逆電圧: 4,000 V

... 3 相ブリッジ、130/160A（パワーモジュール） 130-160MT... 3相ブリッジ、130/160A（パワーモジュール） 機能 • 業界標準のINT-A-PAKパワーモジュールシリーズと完全に互換性のあるパッケージ • 高熱伝導率パッケージ、電気絶縁ケース • 優れた電力体積比 • 4000 VRMSアイソレーション電圧 • 完全リード（Pb）フリー • 産業レベル 説明用に設計および認定された 非常にコンパクトでカプセル化された3 ...

逆電圧: 2 kV - 300 kV

... 製品の特徴 1.低リーク、低消費電力、高サージ容量。 2. 効率的な高速応答時間。 3. Tj動作ジャンクション温度範囲-40〜+175。 4. 逆雪崩破壊保護。 5. ポリイミド不動態化技術。 6. 成形プラスチックボディ、成形射出技術。 7. ROHS準拠。 ...

逆電圧: 200, 125, 150, 100 kV

... 製品の特徴 1.低リーク、低消費電力、高サージ容量。 2. 効率的な高速応答時間。 3. Tj動作ジャンクション温度範囲-40〜+175。 4. 逆雪崩破壊保護。 5. ポリイミド不動態化技術。 6. 成形プラスチックボディ、成形射出技術。 7. ROHS準拠。 ...

逆電圧: 10 kV - 30 kV

... 製品の特徴 1.低リーク、低消費電力、高サージ容量。 2. 効率的な高速応答時間。 3. Tj動作ジャンクション温度範囲-40〜+175。 4. 逆雪崩破壊保護。 5. ポリイミド不動態化技術。 6. 成形プラスチックボディ、成形射出技術。 7. ROHS準拠。 ...