MOSFETテスト システム

... MX300Cシリーズは、パワー半導体用自動熱特性試験装置です。サンプリングユニット、温度制御ユニット、電源ユニット、システム制御ユニットから構成されています。主にIGBT(Si/SiC/GaN材料)、MOSFET、DIODE等のパワー半導体のパワーサイクル試験や耐熱性試験に適しており、パワー半導体の寿命中の性能を評価することができます。 機能 パワーサイクル試験 熱抵抗試験/過渡熱抵抗試験(Rth/Zth) Kカーブ試験 接合部対ケース熱抵抗 (RJC) ゲートリーク電流試験 ...

... マルチサイトMOSFETテストシステム-STS8202 システムの特徴 - 最大16サイトのMOSFETテストが可能，各サイト100V/10Aのテストが可能 - 1000Vまでの高電圧テストオプション - 10AまでのUISテストオプション - その他ACテストオプション ...

... パワーディスクリートテストシステム-STS8203 システムの特徴 - MOSFET、ショットキー、IGBTなどのパワー・ディスクリート・デバイスのテストに特化 - 2000V/200A DCテスト機能 - UIS、DVDS、ZMU（Ciss/Coss/Crss/Rg）テストオプション - 異なるテストステーションとのインターフェースにより、DCとACのテストを同時にサポートするマルチファンクションテストモード - メニュー・ドリブン・プログラミング。 - CROSS本体のアナログICテスターへの柔軟な拡張性 ...

... MOSFET BJT IGBTおよびSiC GaN半導体用PMSTパワーデバイスアナライザ静的テストシステム パワーデバイス静的パラメータテストシステム（PMST）は、様々な測定・解析機能を統合しており、パワーデバイス（MOSFET、BJT、IGBTなど）の静的パラメータを正確に測定することができます。このシステムは、異なるパッケージタイプのパワーデバイスの静的パラメータを測定することができ、高電圧、高電流特性、uΩレベルの正確な測定、pAレベルの電流測定能力という特性を持っています。高電圧モードにおけるパワーデバイスの接合キャパシタンス（入力キャパシタンス、出力キャパシタンス、逆方向転送キャパシタンスなど）の測定をサポートしています。 -最大電圧：3500V、10kVまで拡張可能。 -最大電流：6000A（複数モジュール並列）。 -nAの漏れ電流、μΩの導電抵抗。 -精密測定の正確さ ...

... 半導体パワーデバイスC-V特性試験装置 静電容量-電圧（C-V）測定は、半導体パラメータ、特にMOS CAPとMOSFET構造の測定に広く使用されています。MOS（金属-酸化膜-半導体）構造の静電容量は、印加電圧の関数です。MOSキャパシタンスが印加電圧によって変化する曲線はC-V曲線（C-V特性と呼ばれる）と呼ばれる。C-V曲線試験により、二酸化ケイ素層の厚さdox、基板ドーピング濃度N、酸化膜中の可動電荷面密度Q1、固定電荷面密度Qfcなどを容易に求めることができる。 -広い周波数範囲：周波数範囲は10Hz~1MHzで、連続周波数ポイント ポイントは調節可能である； -高精度で広い範囲：0V～3500Vのバイアス範囲を提供し、精度は 0.1%; -CVテスト内蔵：自動CVテスト・ソフトウェア内蔵。 -C-V（キャパシタンス電圧）、C-T（キャパシタンス時間）、C-F（キャパシタンス周波数）など； -IV ...