チップフォトダイオードアレイ

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PINフォトダイオードアレイ
PINフォトダイオードアレイ
XSJ-10-D8A-80L-KB4-500

... 4X200Gbps 500μmダイピッチ 1X4アレイ 下面照射型PIN PDチップ 4X112GBaudアレイ800Gbpsフォトダイオードチップは、チップ底面にΦ80μmのレンズを内蔵した底面照射型メサ構造の高データレートPINフォトダイオードチップです。その特徴は高く、低いキャパシタンス、低い暗電流および優秀な信頼性、単一モード繊維の波長の適用 910nm から 1650nm、日付率 200Gbps まで長波長の光学受信機です。 1.Φ80pmレンズを底面に内蔵。 2.グランド-信号-グランド(GSG)ボンドパッド構造、4X112GBaudアレイ。 3.低暗電流、低キャパシタンス、高信頼性。 4.日付の率: ...

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PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD.
PINフォトダイオードアレイ
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XSJ-10-D7A-**-K8-500

... 8X56Gbaud(8X112Gbps PAM4)アレイ受光チップは、トップエントリーライトとメサ構造を持つ高速デジタルPIN受光チップで、受光部サイズはΦ20μmです。高応答性、低キャパシタンス、低暗電流、高信頼性を特徴とし、波長1200nm~1600nmのシングルモード用4X112Gbps PAM4デジタル通信リンクに使用されています。 1.GSGボンドパッド構造、8X56GBaudアレイ。 2.ダイピッチ:500μm。 3. 低暗電流、高帯域幅 4.100%のテストと検査。 5.優れた信頼性:すべてのチップは、Telcordia-GR-468-COREで規定された認定要件に合格しています。 6.RoHS2.0(2011/65/EU)に準拠しています。 アプリケーション 1.800G ...

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PINフォトダイオードアレイ
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XSJ-10-D7A-**-K4-750

... 4X56GBaudアレイ400Gbps光検出チップは、トップ入力光とメサ構造の高速デジタルPIN光検出チップで、受光面積はΦ16μmである。本製品の主な特長は、高応答性、低キャパシタンス、低暗電流、高信頼性であり、シングルモード1200nm~1600nmの波長50Gbps以上のデータレートの長波長光受信機に使用される。 1.GSGボンドパッド構造、4X56GBaudアレイ。 2.ダイピッチ:750μm。 3.低暗電流、高帯域幅 4.100%のテストと検査 5.優れた信頼性:すべてのチップは、Telcordia-GR-468-COREで規定された認定要件に合格しています。 6.RoHS2.0(2011/65/EU)に準拠しています。 アプリケーション 1.400G ...

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PINフォトダイオードアレイ
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XSJ-10-D7A-16X-K4-750

... この4X56GBaud Array 400Gbpsフォトダイオードチップは、トップイルミネーションとメサ構造の高データレートデジタルPINフォトダイオードチップであり、アクティブエリアサイズはΦ16μmです。その特長は、高容量、低暗電流、優れた信頼性、シングルモードファイバ波長1200nm~1600nmのアプリケーション、最大50Gbpsの長波長光レシーバの日付レートです。 1.アクティブエリアはΦ16μm。 2.グランド-信号-グランド(GSG)ボンドパッド構造、4X56GBaudアレイ。 3.低暗電流、低キャパシタンス、高信頼性。 4.日付の率: ...

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PINフォトダイオードアレイ
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XSJ-10-D7A-**-K4-500

... 4X56GBaudアレイ400Gbps光検出チップは、トップ入力光とメサ構造の高速デジタルPIN光検出チップで、受光面積はΦ22μmである。本製品の主な特長は、高応答性、低キャパシタンス、低暗電流、高信頼性であり、シングルモード1200nm~1600nmの波長50Gbps以上のデータレートの長波長光受信機に使用される。 1.GSGボンドパッド構造、4X56GBaudアレイ。 2.ダイピッチ:500μm。 3.低暗電流、高帯域幅 4.全数検査 5.優れた信頼性:すべてのチップは、Telcordia-GR-468-COREで規定された認定要件に合格しています。 6.RoHS2.0(2011/65/EU)に準拠しています。 アプリケーション 1.400G ...

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PINフォトダイオードアレイ
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XSJ-10-D6A-20-K4-750

... 4X56GBaudアレイ400Gbpsフォトディテクタチップは、トップライト入力とメサ構造を採用した高速デジタルPINフォトディテクタチップであり、受光面積はΦ24umである。本製品の主な特長は、高応答性、低容量、低暗電流、高信頼性です。本製品は、シングルモード910nm~1650nmの50Gbps以上のデータレートの長波長光受信機に適用される。 1.アクティブエリアΦ20μm。 2.GSG(Ground-Signal-Ground)ボンドパッド構造、4X25Gアレイ。 3.低暗電流、低キャパシタンス、高信頼性。 4.日付レート: ...

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PINフォトダイオードアレイ
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XSJ-10-D6A-20-K4

... 4X25Gアレイ100Gbps光検出チップは、トップライト入力、メサ構造の高速デジタルPIN光検出チップで、受光面積はΦ20um。高応答性、低キャパシタンス、低暗電流、高信頼性を主な特徴としています。主に4X25Gbps 4チャンネルTIAと組み合わせ、長距離、高速、シングルモード4x25Gbps光受信機に適用される。 1.アクティブエリアはΦ20μm。 2.グランド-信号-グランド(GSG)ボンドパッド構造、4X25Gアレイ。 3.低暗電流、低キャパシタンス、高信頼性。 4.日付レート: ...

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InGaAsフォトダイオードアレイ
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XSJ-10-D5-50H-K4

... 高速4X10Gbpsフォトディテクタチップは、InGaAs/I InP PIN構造、フロントイルミネーションタイプで、高応答性、低キャパシタンス、低暗電流が特徴です。受光面積は50μmで、PパッドとNパッドが上部に設計されており、はんだ配線の実装が容易です。主に4X10Gbps 4チャンネルTIAと組み合わせ、長距離、高速、シングルモードの4X10Gbps光受信機やデータ通信に使用されます。 1.アクティブエリアはΦ50μm。 2.グランド-信号-グランド(GSG)ボンドパッド構造、4X10Gbpsアレイ。 3.低暗電流、低キャパシタンス、高信頼性。 4.ダイピッチ:250μm 5.100%のテストと検査。 6.優れた信頼性:すべてのチップは、Telcordia ...

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PINフォトダイオードアレイ
PINフォトダイオードアレイ
XSJ-10-D6A-32-K4

... この4X25Gbpsアレイ100Gbpsフォトダイオードチップは、トップイルミネーションとメサ構造の高データレートデジタルPINフォトダイオードチップであり、アクティブエリアサイズはΦ32μmです。主に高性能4X25Gbpsクワッドチャンネルトランスインピーダンスアンプ(TIA)と組み合わせ、長波長アプリケーション、シングルモードファイバ光レシーバで最大4X25Gbpsの高データレートを実現します。 1.アクティブエリアはΦ32μm。 2.グランド-信号-グランド(GSG)ボンドパッド構造、4X25Gアレイ。 3.低暗電流、低キャパシタンス、高信頼性。 4.タイプ帯域幅:16GHz。 5.ダイピッチ:250μm 6.優れた信頼性すべてのチップはTelcordia ...

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ガリウムヒ素 GaAs製フォトダイオードアレイ
ガリウムヒ素 GaAs製フォトダイオードアレイ
XXSJ-10-G6A-35H-K4

... この高データレート 4X28Gbps NRZ/4X56Gbps PAM-4 フォトダイオードチップは、GaAs 上面照射型 1x4 アレイ PIN 構造です。高耐圧、低キャパシタンス、低暗電流を特長とし、アクティブエリアはΦ35μm、チップ上面に信号用とグランド用のボンディングパッドが設計されており、ワイヤーボンディングが容易で、850nm 4X28Gbps/4X56Gbps PAM-4 短距離データ光通信への応用が可能です。 1.アクティブエリアΦ35μm 2.低暗電流 3.グランド-信号-グランドのボンドパッド設計。 4.ダイピッチ:250μm 5.全数検査。 6.優れた信頼性:すべてのチップは、Telcordia ...

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チップフォトダイオードアレイ
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PA1001

プレーナ技術を応用した 6 素子のフォトダイオードから構成する、フォトセンサーです。フォトダイオードは、反射防止層として機能する窒化珪素によりパッシブ化後、PCB に接着固定して、透明なエポキシ接着剤で保護しています。太陽電池や光伝導で使用できます。 機能 高い応答性 低キャパシタンス SMT に最適 高い信頼性 ピーク波長 830nm

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RLS
チップフォトダイオードアレイ
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PA2033

プレーナ技術を応用した 6 素子のフォトダイオードから構成する、フォトセンサーです。フォトダイオードは、反射防止層として機能する窒化珪素によりパッシブ化後、PCB に接着固定して、透明なエポキシ接着剤で保護しています。太陽電池や光伝導で使用できます。 機能 高い応答性 低キャパシタンス 高い信頼性 ピーク波長 830nm

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チップフォトダイオードアレイ
チップフォトダイオードアレイ
PA2100

プレーナ技術を応用した 6 素子のフォトダイオードから構成する、フォトセンサーです。フォトダイオードは、反射防止層として機能する窒化珪素によりパッシブ化後、PCB に接着固定して、透明なエポキシ接着剤で保護しています。太陽電池や光伝導で使用できます。 機能 4 種類のバージョンをラインナップ ピーク波長 830nm メリット 高い応答性 低キャパシタンス SMT に最適 高い信頼性

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