ウェハー用研削ホイール

直径: 202 mm

化合物半導体ウェーハ(SiC/GaN他)用面取りホール 【製作可能範囲】 　粒度仕様　：　#400〜#3000　　※複合粒度も可能です 　外　径　　：　〜202D　 　内　径　　：　H6公差（他の公差はご相談ください） 　動バランス：　≧0.1g ＠Min. 　溝形形状　：　公差≧0.5度 　溝段数　　：　〜10溝（溝形状によっては10溝以上も可能） チッピングの発生率、加工ダメージを抑えるために、独自の砥粒管理を行ったダイヤモンドを使用。 耐摩耗性に優れたボンドの採用により、ホイール形状の寸法維持性が高く、長寿命です。 低炭素社会における省電力化の流れにおいて、パワーデバイスの基板となる化合物半導体ウェーハの生産は着実な伸びが期待されています。その鍵となるのがウェーハの加工コストで、その面取り加工においてもダイヤモンド工具の寿命向上が重要。チッピングを抑えてホイールライフの長寿命化が必要です。 ホイールの長寿命化は、工具の切り替えタクトの短縮、総使用コストの削減等のメリットにつながります。当社のメタルボンド面取りホイールは、SiC（シリコンカーバイド)）や ...

直径: max 350.0 µm

SiCウェーハ平面研削の粗/仕上げ加工用ホイール 対象素材：SiC、GaN、GaAs、LT/LN アプリケーション：表面研削、裏面研削（粗/仕上げ加工） スペック： 粗加工用 ボンド種：有気孔ビトリファイド 粒度：#1000～#3000 仕上げ加工用 ボンド：有気孔ビトリファイド 粒度：#4000～#12000 当社の有気孔ビトリボンドホイール「ベガ」は、従来よりも大きな気孔径と高い気孔率を両立させ、ワークへの食いつき性を最大限に高めたホイールです。特にSiCウェーハの平面研削に好適で、６“ ...

半導体ウェーハ用　メタルボンドノッチホイール *対象：半導体ウェーハ (シリコン, SiC, GaAs, サファイアなど) *アプリケーション：ノッチ・グライディング 【製作可能範囲】 　粒度仕様：　#400〜#3000 　外　径　：　〜4D（最小部径2D） 　軸　径　：　h6公差 　全　長　：　〜35L 　振れ精度：　≦5um@Min. 　溝形形状：　公差≧１度@開口角 　溝段数　：　〜5溝 半導体ウェーハの高精度なノッチ研削に用いられるホイールです。独自の加工技術によって、シャンクに対するダイヤ部の振れ精度が良好です。溝形状を最適化したサファイアウェーハ用やミラー面取り対応など、各種仕様のホイールを提供します。 シリコンウェーハ向け仕上げ用ノッチホイールの長寿命化 【課題】 シリコンウェーハのノッチ部への品質要求が年々高まっており、ノッチホイール用砥粒の高番手化が進んでいます。 ...

直径: 150, 202 mm

... 半導体ウェーハ面取り・研削用砥石 主にシリコンウェーハや各種サイズの炭化ケイ素ウェーハの面取り・研削に使用されます。お客様のご要望に応じ、溝形状、溝量をカスタマイズいたします。良好な形状保持性能、長寿命、加工物の無欠陥などの特徴があります。 ...