MOSFET

東芝MOSFETは、12Vから300Vまでの幅広い耐圧ラインアップと超小型から大電流まで対応したパッケージ・バリエーションを展開しています。当社のMOSFETは、高速で低オン抵抗という特長を有し、さらに寄生スナバー回路を最適化することで低スパイク特性も実現しています。低ノイズと低スイッチング損失を実現した当社のMOSFETは、高効率が求められるサーバー用AC-DCスイッチング電源や基地局用DC-DCコンバーターに最適な製品を提供します。また、軽量・小型化が求められるスマートフォンやウェアラブルデバイス、ならびにIoT機器など様々な用途に最適な製品を提供します。

... オンセミは、EVトラクション・インバータ、DC-DCコンバータ、オフボード・チャージャなどの高電力アプリケーション向けに最適化された、ベアダイ・タイプの第3世代EliteSiC炭化ケイ素（SiC）MOSFETを提供します。 オンセミの最新世代のSiC MOSFET技術に基づくM3e製品ファミリは、はんだ付け、焼結、ワイヤボンド、ダイトップ銅、リボンボンドなど、複数のパッケージング技術に適した最適化されたトップメタルとバックメタルのオプションを備え、クラス最小のオン抵抗を実現します。オンセミのM3e製品を利用することで、パッケージングの柔軟性により、電気自動車のトラクション・インバータ・アプリケーションにおいて、電力密度と効率を高めながら、システムのサイズ、重量、アプリケーションの複雑さを低減することができます。 シリコンベースのソリューションから炭化ケイ素ベースのソリューションに移行することで、バッテリー電気自動車のトラクション・インバータの効率と航続距離を最大5%改善することができます。 アプリケーション 主なトラクション・インバータ用途 高電圧DC/DCコンバータ オフボードチャージャー 最終製品 1200V ...

ロームの第4世代SiC MOSFET SCT4シリーズは短絡耐量時間を改善し、業界トップクラスの低オン抵抗を実現した第4世代の製品です。このシリーズは従来品に比べてオン抵抗を約40%、スイッチング損失を約50%低減しています。また、ゲート-ソース間電圧がより扱いやすい15Vにも対応しており、アプリケーションの設計しやすさが向上しています。 特長: - 低オン抵抗 - 高速スイッチングスピード - 高速リカバリー - 並列使用が容易 - シンプルな駆動回路 - Pbフリー対応済み、 RoHS準拠

... 説明: セントラルセミコンダクタ CDM22010-650は、力率補正（PFC）、照明、パワーインバータなどの高電圧、高速スイッチングアプリケーション向けに設計された大電流、650ボルトNチャネルパワーMOSFETです。このMOSFETは、高電圧能力と低RDS（ON）、低スレッショルド電圧、および低ゲート電荷を兼ね備えています。 マーキングコード:CDM10-650 用途: • 力率補正 • モータドライブ • 代替エネルギーインバータ ...

... 高電圧 高サージ能力 3000VRMS絶縁電圧 工業用標準パッケージ UL承認ファイル E320098 ガラスパッシベートチップ 低熱抵抗 工業レベル向けに設計および認定 RoHS対応 アプリケーション 高電圧安定化電源 照明回路 温度およびモーター速度制御回路 UPS バッテリー充電器 ...

... RVS47N60PN/PTは、ロンテックモスの新プラットフォームにより製造されたNチャネルエンハンスメントモード高耐圧パワーMOSFETです。低導通損失と低スイッチング損失を実現しています。高効率、高電力密度、優れた熱挙動を持つパワーコンバータを設計することができます。さらに、ハードスイッチングとソフトスイッチングのトポロジーに対応したユニバーサルな製品です。 特長 * 47A, 600V, Ros(on)(typ.)=55mQ@VGS=10V。 * 革新的な高耐圧技術 * ...