シリコンフォトダイオード

立ち下がり時間 tf 典型 0.08 µs 立ち上がり時間 tf 典型 0.07 µs 感度のスペクトル範囲（標準） λ10% 最小 400 nm λ10% 最大 1100 nm 放射感度領域 A 典型 1.51 mm² ビーム角 ∢ 典型 130 ° 寸法 l 典型 2.0 mm w 典型 1.8 mm h 典型 0.6 mm 動作温度 Top 最小 -40 °C Top 最大 85 °C アプリケーション分野 モバイルとウェアラブル バイタルサインの監視 医療とヘルスケア デジタル診断デバイス

可視～近赤外域で高い感度をもつ表面実装型Siフォトダイオードです。従来品 S2387シリーズよりも高感度を実現しています。 ■特長 ・可視～赤外域で高感度 ・低暗電流 ・優れた直線性 ・鉛フリーリフローはんだ付けに対応 • 受光面サイズ : 2.4 × 2.4 mm • 素子数 : 1 • パッケージ : ガラスエポキシ • パッケージカテゴリ : 表面実装型 • 冷却 : 非冷却 • 感度波長範囲 : 380～1100 nm • ...

... シリコンPINフォトダイオード 特長 パッケージタイプ：表面実装 パッケージ形態：表面実装1206 寸法（長さ×幅×高さ、mm）：4 x 2 x 1.054 x 2 x 1.05 アプリケーション 高速フォトディテクタ ...

... DH-Siは汎用 UV 強化シリコン・フォトダイオードで、200-1100nmの波長範囲にわたって優れた直線性と低ノイズを提供します。 UV-NIR 範囲全体での使用に加えて、DH-Siは、特定の場合において、光電子増倍器が考慮される可能性のある測定のための経済的なソリューションを表します。 その 'マウントは、ベンサム単色器とアクセサリーの全範囲と互換性があります。 この検出器は、400シリーズの検出エレクトロニクスでの使用に推奨されます。 ...