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電流: 0.2, 1.65, 0.01 mA
立ち下がり時間 tf 典型 8.0 µs 立ち上がり時間 tf 典型 8.0 µs 感度のスペクトル範囲（標準） λ10% 最小 450 nm λ10% 最大 1100 nm 放射感度領域 A 典型 0.11 mm² ビーム角 ∢ 典型 110 ° 寸法 l 典型 5.35 mm w 典型 5.35 mm h 典型 3.3 mm 動作温度 Top 最小 -40 °C Top 最大 80 °C アプリケーション分野 産業 工場自動化
電流: 50.5, 60, 75 A
電圧: 32 V - 300 V
... オプトカプラ、フォトトランジスタ出力、ベース接続付き、高BVCEO電圧 特長 非常に高いコレクタエミッタ降伏電圧BVCEO 絶縁試験電圧：5000 VRMS 低カップリング容量 アプリケーション 通信機器 産業用制御機器 バッテリー駆動機器 ...
VISHAY
電流: 50, 60 mA
電圧: 30 V - 300 V
... オプトカプラ、フォトダーリントン出力、高ゲイン、ベース接続付き 特長 非常に高い電流伝達比、最小500 高絶縁抵抗、1011Ω標準 標準プラスチックDIPパッケージ ...
VISHAY
電流: 1 mA
電圧: 80 mV
... OIT29 3- ch. フォトトランジスタアレイ0.60ミリメートルプラスチックSMDパッケージ の一般的な説明 OIT29は、3つの要素シリコン フォトトランジスタのモノリシックアレイで構成されています. フォトトランジスタには共通のコレクタがあり、すべてのエミッタはパッドとして利用できます。シリコンアレイのピッチは0.6mmで、部品の電気ピッチは1.27mmです。各要素の活性領域は0.2×0.45mmである。封止材は、高品質のマイクロ電子透明シリコーン樹脂です。その透過値は、300nmから400nmまでの95％を超え、400〜900nmの範囲で100％に非常に近いです。フォトトランジスタは反射防止コーティングが施されており、 ...
Optoi Microelectronics
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