NANDメモリ

... NANDタイプのフラッシュメモリは、メモリセル構造、セルサイズ、機能の変化を遂げており、容量の増加とコストの削減は、小型化を通じて急速に進んでいます。 ただし、世代 間の互換性を維持せずにフラッシュメモリ生成の変更が加速すると、NANDタイプのフラッシュメモリの調達が困難になり、 システムの導入やシステム設計を制限するリスクが大きくなることがあります。 TDK GBDriver RA6は、 既存のNANDタイプのフラッシュメモリのサポートを維持しながら、最新のフラッシュメモリ（TwoPlane-writeフラッシュメモリ）を制御することにより、これらのリスクを排除します。 ...

... 5Gスマートフォン向け次世代モバイルNANDフラッシュストレージ 最新と新の融合（V7 NANDと新SoC) SK hynixのNANDフラッシュは、実績のある強固な技術プラットフォームに支えられ、モノダイの密度や利用可能な容量構成が進化し続けています。今回、UD310（UFS3.1）とUD220（UFS2.2）は、最新の176層4D NANDを搭載し、5Gスマートフォンの厳しい要件を満たすために小型・薄型パッケージに収められた大容量・高性能モバイルストレージとして発表されました。 UD310 世界初、176層NANDフラッシュ搭載のUFS3.1 SK ...

メモリ: 512 GB

... スマートフォンを超えるNANDストレージの新時代 次のフラッグシップストレージは今 (V7 NAND & New SOC) SK hynixのNANDフラッシュは、256GB、512GB、1TBの容量をラインナップし、スマートフォンユーザーの大容量メモリへの需要の高まりに対応します。 UFS4.0はJEDEC規格に準拠し、4D NANDと最新のコントローラーの組み合わせにより、UFS3.1の2倍の優れた性能を実現します。 また、電力効率に優れ、持続可能性にも貢献します。 2倍のパフォーマンス 最大4300MB/秒のシーケンシャルリードを可能にするUFS4.0は、UFS3.1の2倍の速度を提供します。 大容量、スリムなフォームファクター UFS4.0は厚さ1.0mm、最大1TBの大容量ストレージに対応し、フラッグシップ・モバイル製品でシームレスなパフォーマンスを発揮します。 UFS4.0は、新しいモバイル機器の時代を切り開きます。 ...

メモリ: 64 GB - 1,000 GB

... 5Gスマートフォン向け次世代モバイルNANDフラッシュストレージ 最新と新の融合 ( V7 NAND & 新 SoC ) SK hynixのNANDフラッシュ製品ラインアップは、実績のある強固な技術プラットフォームに支えられ、モノダイ密度と利用可能な容量構成で進化し続けています。UD310(UFS3.1)とUD220(UFS2.2)は、最新の176層4D NANDを採用し、5Gスマートフォンの厳しい要件に対応するため、より小型・薄型のパッケージに搭載された大容量・高性能モバイルストレージです。 UD310 世界初の176層NANDフラッシュ搭載UFS3.1 SK ...

メモリ: 64 GB - 512 GB

... 車載機器専用NANDフラッシュストレージ SK hynixのNANDフラッシュ・ラインナップは、モバイル用途だけでなく、車載用途にも対応しています。 SK hynixの車載システム用ユニバーサルフラッシュストレージ（UFS）は、最先端の第7世代（176層）4D V-NANDを採用し、独自のNANDフラッシュコントローラを搭載しており、提供されるインターフェースは64GB～512GBのUFS3.1および64GB～256GBのUFS2.1で、すべてJEDEC規格に準拠しています。 車載用UFSラインアップ SK ...

メモリ: 512 GB

... 信頼性の高い堅牢なストレージをずっと 圧倒的なGo-toメモリソリューション 優れた電力効率と高速性を備えたeMMCは、モバイルアプリケーション向けの先進的な管理型NANDフラッシュメモリであり、スマートフォンやタブレットからGPSシステム、DTV、セットトップボックス、OTT、さらにはeMMCを採用する車載モジュールまで、多くの家電製品において圧倒的なゴー・トゥ・メモリソリューションであり続けています。 幅広いポートフォリオと長寿命なサポート SK hynixのeMMCソリューションは、8GBから64GBまでの幅広い密度で提供されており、そのすべてが、小型パッケージ、高速インターフェース、および長寿命サポートに対する顧客のニーズを満たしています。 コマンドキューイング(CQ)によるインターフェース速度の最適化 コマンドキューイング（CQ）により性能を最適化することで、HS400モードの最大インターフェース速度に到達します。 ...

メモリ: 64, 128, 256, 12, 24 GB

... DDC 64、128、および256 Gbの高密度NANDフラッシュは、x16ワイドバスを備えています。 このNANDフラッシュは、シングルレベルセル（SLC）NAND技術を使用しています。 メモリセルあたり1ビットのデータを格納するSLC NANDは、高速な読み書き機能、起動時間、優れた耐久性と信頼性を提供します。 DDCの特許取得済みのRAD-PAKパッケージング技術は、マイクロ回路パッケージに放射シールドを組み込んでいます。 これは、ボックスシールドの必要性を排除し、軌道や宇宙ミッションの寿命のために必要な放射線シールドを提供します。 ...

1987年にNAND型フラッシュメモリが発明され、1991年に世界で初めて量産されて以降、メモリ素子配線幅の微細化により記憶容量を増やしてきました。しかし微細化によって引き起こされる様々な問題により、平面構造のNAND型フラッシュメモリでは更なる容量増に対する技術難易度が非常に高くなっています。 そこでこの問題を打破するため、フラッシュメモリの3次元積層構造が考案され2007年に世界で初めて公表注1、開発が進められ三次元フラッシュメモリ：BiCS FLASHが製品化されました。 ターゲットアプリケーション IoT時代の到来, ...