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... Esta série de díodos Schottky de carboneto de silício (SiC) tem uma corrente de recuperação inversa negligenciável, elevada capacidade de sobretensão e uma temperatura máxima de funcionamento da junção ...
Tensão direta: 1,5 V - 3 V
Tensão inversa: 600, 1.250, 650 V
... Os díodos de recuperação rápida da Renesas oferecem tempos de recuperação rápidos para fins de retificação em aplicações de frequência muito elevada. ...
Tensão inversa: 650 V
... Tempo de recuperação mais curto, permitindo a comutação a alta velocidade. CARACTERÍSTICAS: Tempo de recuperação mais curto Dependência reduzida da temperatura Possibilidade de comutação a alta velocidade Capacidade de corrente de pico elevada ...
ROHM Semiconductor
Tensão inversa: 650 V
... Tempo de recuperação mais curto, permitindo a comutação a alta velocidade. CARACTERÍSTICAS: Reduzida dependência da temperatura Possibilidade de comutação a alta velocidade Elevada capacidade de corrente de pico ...
ROHM Semiconductor
Tensão inversa: 650 V
... Tempo de recuperação mais curto, permitindo a comutação a alta velocidade. CARACTERÍSTICAS: Redução da dependência da temperatura Possibilidade de comutação a alta velocidade Elevada capacidade de corrente de pico ...
ROHM Semiconductor
Tensão direta: 1,45 V - 2,2 V
Tensão inversa: 600 V - 1.200 V
... utilização de díodos de carboneto de silício (SiC). A ST propõe uma gama de 600 a 1200 V com díodos simples e duplos encapsulados em tamanhos de pacote desde PowerFLATTM 8x8 a TO-247, ...
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