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... DESCRIÇÃO: O SEMICONDUTOR CENTRAL CMPFJ175 e o CMPFJ176 são JFETs de canal P moldados em epóxi fabricado em uma caixa SOT-23, projetada para aplicações em amplificadores de baixo nível. CÓDIGOS DE MARCAÇÃO CMPFJ175: 6W CMPFJ176: 6X ...
Central Semiconductor
Tensão: 30 V
... DESCRIÇÃO: O SEMICONDUTOR CENTRAL CMPFJ175 e o CMPFJ176 são JFETs de canal P moldados em epóxi fabricado em uma caixa SOT-23, projetada para aplicações em amplificadores de baixo nível. CÓDIGOS DE MARCAÇÃO CMPFJ175: 6W CMPFJ176: 6X ...
Central Semiconductor
... Os HEMTs GaN, os FETs GaAs, os MMICs e as soluções HEMT de baixo ruído oferecem um elevado desempenho e uma fiabilidade sem compromissos para aplicações de radar, estações de base, SATCOM, ponto a ponto e espaciais. ...
... Apresenta um PHEMT de ruído ultrabaixo. O processo é otimizado para fornecer um número de ruído muito baixo para estações base celulares/PCS críticas e outras aplicações de RF sem fio, alta consistência entre partes e excelente confiabilidade. ...
Broadcom
... ATF-35143 é uma gama dinâmica elevada, de baixo ruído, PHEMT alojada num pacote de plástico de 4 derivações SC-70 para montagem em superfície. ...
Broadcom
... portfólio de Transistores Bipolares RF de Silício e FETs de GaAs Os transistores GaAs FET RF são ideais para o primeiro ou segundo estágio da estação base LNA devido ...
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