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Corrente: 4 A
Tensão: 650 V
... A série R6xxxENx são produtos de baixo ruído, MOSFETs de Super Junção, que colocam a ênfase na facilidade de utilização. Os produtos desta série alcançam um desempenho superior para aplicações sensíveis ao ruído para reduzir o ruído, ...
ROHM Semiconductor
Corrente: 1,7 A
Tensão: 600 V
... A série R6xxxENx são produtos de baixo ruído, Super Junction MOSFETs, que colocam uma ênfase na facilidade de utilização. Esta série de produtos consegue um desempenho superior para aplicações sensíveis ao ruído para reduzir o ruído, ...
ROHM Semiconductor
Corrente: 76 A
Tensão: 600 V
... R6076ENZ4 é um MOSFET de potência para aplicações de comutação. Baixa resistência Velocidade de comutação rápida A utilização em paralelo é fácil Revestimento sem Pb; compatível com RoHS ...
ROHM Semiconductor
Corrente: 4 A
Tensão: 600 V
... Power MOSFET R6004END3 é adequado para a comutação de alimentação. Baixa resistência Baixo ruído de radiação Comutação rápida A utilização em paralelo é fácil Revestimento sem Pb; compatível com RoHS ...
ROHM Semiconductor
Corrente: 11 A
Tensão: 650 V
... R6511ENX é um MOSFET potente com baixa resistência e comutação rápida, adequado para a aplicação de comutação. Baixa resistência Velocidade de comutação rápida A utilização em paralelo é fácil Revestimento sem Pb; compatível com RoHS ...
ROHM Semiconductor
Corrente: 11 A
Tensão: 650 V
... R6511ENJ é um MOSFET potente com baixa resistência e comutação rápida, adequado para a aplicação de comutação. Baixa resistência Velocidade de comutação rápida A utilização em paralelo é fácil Revestimento sem Pb; compatível com RoHS ...
ROHM Semiconductor
Corrente: 24 A
Tensão: 650 V
... R6524ENJ é um MOSFET potente com baixa resistência e comutação rápida, adequado para a aplicação de comutação. Baixa resistência Velocidade de comutação rápida A utilização em paralelo é fácil Revestimento sem Pb; compatível com RoHS ...
ROHM Semiconductor
Corrente: 30 A
Tensão: 650 V
... R6530ENX é um MOSFET de potência com baixa resistência e velocidade de comutação rápida, adequado para comutação. Baixa resistência Velocidade de comutação rápida A utilização em paralelo é fácil Revestimento sem Pb; compatível com RoHS ...
ROHM Semiconductor
Corrente: 4 A
Tensão: 600 V
... Os MOSFETs de potência são feitos como dispositivos de baixa resistência ON pelas tecnologias de micro-processamento úteis para uma vasta gama de aplicações. Ampla linha cobrindo tipos compactos, tipos de alta potência e tipos complexos ...
ROHM Semiconductor
Corrente: 30 A
Tensão: 600 V
... Os MOSFETs de potência são feitos como dispositivos de baixa resistência ON pelas tecnologias de micro-processamento úteis para uma vasta gama de aplicações. Ampla linha cobrindo tipos compactos, tipos de alta potência e tipos complexos ...
ROHM Semiconductor
Tensão: 50 V
... DESCRIÇÃO: O SEMICONDUCTOR CENTRAL CMPT5086, CMPT5086B e CMPT5087 são transistores PNP de silício fabricados pelo processo planar epitaxial, epóxi moldado em um pacote de montagem em superfície, projetado para aplicações ...
... Os HEMTs GaN, os FETs GaAs, os MMICs e as soluções HEMT de baixo ruído oferecem um elevado desempenho e uma fiabilidade sem compromissos para aplicações de radar, estações de base, SATCOM, ponto a ponto e espaciais. ...
... Apresenta um PHEMT de ruído ultrabaixo. O processo é otimizado para fornecer um número de ruído muito baixo para estações base celulares/PCS críticas e outras aplicações de RF sem fio, alta consistência entre partes e excelente confiabilidade. ...
Broadcom
... ATF-35143 é uma gama dinâmica elevada, de baixo ruído, PHEMT alojada num pacote de plástico de 4 derivações SC-70 para montagem em superfície. ...
Broadcom
... portfólio de Transistores Bipolares RF de Silício e FETs de GaAs Os transistores GaAs FET RF são ideais para o primeiro ou segundo estágio da estação base LNA devido à excelente combinação de baixo ruído ...
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