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Tensão: 60 V
... Transístor de silício epitaxial NPN Aplicações Este produto é de uso geral e adequado para muitas aplicações diferentes. ...
Corrente: 81 A
Tensão: 1.200 V
... SCT4018KE é um SiC MOSFET que contribui para a miniaturização e baixo consumo de energia das aplicações. Este é um produto de 4ª geração que atinge a liderança da indústria com baixa resistência sem sacrificar o curto-circuito ...
ROHM Semiconductor
Corrente: 51 A
Tensão: 750 V
... SCT4026DW7 é uma vala SiC (carboneto de silício) MOSFET. As características incluem alta resistência à alta tensão, baixa resistência ao LIG, e velocidade de comutação rápida. Vantagens da 4ª Geração ...
ROHM Semiconductor
Corrente: 75 A
Tensão: 1.200 V
... SCT4018KW7 é uma vala SiC (carboneto de silício) MOSFET. As características incluem alta resistência à alta tensão, baixa resistência ao ON, e velocidade de comutação rápida. Vantagens da 4ª Geração ...
ROHM Semiconductor
Corrente: 31 A
Tensão: 750 V
... SCT4045DW7 é uma fossa SiC (carboneto de silício) MOSFET. As características incluem alta resistência à alta tensão, baixa resistência ao LIG, e velocidade de comutação rápida. Vantagens da 4ª Geração ...
ROHM Semiconductor
Corrente: 24 A
Tensão: 1.200 V
... SCT4062KW7 é uma vala SiC (carboneto de silício) MOSFET. As características incluem alta resistência à alta tensão, baixa resistência ao ON, e velocidade de comutação rápida. Vantagens da 4ª Geração ...
ROHM Semiconductor
Corrente: 98 A
Tensão: 750 V
... SCT4013DW7 é uma fossa SiC (carboneto de silício) MOSFET. As características incluem alta resistência à alta tensão, baixa resistência ao LIG, e velocidade de comutação rápida. Vantagens da 4ª Geração ...
ROHM Semiconductor
Corrente: 34 A
Tensão: 750 V
... AEC-Q101. SCT4045DRHR é uma vala SiC (carboneto de silício) MOSFET. As características incluem alta resistência à alta tensão, baixa resistência ao ON, e velocidade de comutação rápida. Vantagens da ...
ROHM Semiconductor
Corrente: 31 A
Tensão: 750 V
... -Q101. SCT4045DW7HR é uma vala SiC (carboneto de silício) MOSFET. As características incluem alta resistência à alta tensão, baixa resistência ao ON, e velocidade de comutação rápida. Vantagens da 4ª ...
ROHM Semiconductor
Corrente: 26 A
Tensão: 1.200 V
... AEC-Q101. SCT4062KRHR é uma vala SiC (carboneto de silício) MOSFET. As características incluem alta resistência à alta tensão, baixa resistência ao ON, e velocidade de comutação rápida. Vantagens da ...
ROHM Semiconductor
Corrente: 24 A
Tensão: 1.200 V
... -Q101. SCT4062KW7HR é uma vala SiC (carboneto de silício) MOSFET. As características incluem alta resistência à alta tensão, baixa resistência ao ON, e velocidade de comutação rápida. Vantagens da 4ª ...
ROHM Semiconductor
Corrente: 24 A
Tensão: 1.700 V
... EHVS1) desenvolvida para se adaptar a ecrãs CRT de alta definição. A nova série de produtos HD apresenta uma eficiência de silício melhorada, o que permite actualizar o desempenho na fase de deflexão horizontal. Todas ...
Tensão: 45 V
... DESCRIÇÃO: Os tipos SEMICONDUTOR CENTRAL BCX51, BCX52 e BCX53 são Transistores de Silício PNP fabricado pelo processo epitaxial planar, epoxi moldado em um pacote de montagem superficial, projetado para ...
Central Semiconductor
Tensão: 50 V
... DESCRIÇÃO: O SEMICONDUCTOR CENTRAL CMPT5086, CMPT5086B e CMPT5087 são transistores PNP de silício fabricados pelo processo planar epitaxial, epóxi moldado em um pacote de montagem em superfície, projetado ...
Central Semiconductor
Tensão: 60 V
... DESCRIÇÃO: O SEMICONDUTOR CENTRAL BCV47 é um transistor de silicone NPN Darlington fabricado pelo processo epitaxial planar, epoxi moldado em um pacote de montagem superficial, projetado para aplicações que requerem um ...
Central Semiconductor
Tensão: 60 V
Central Semiconductor
... DESCRIÇÃO: O SEMICONDUTOR CENTRAL CMPFJ175 e o CMPFJ176 são JFETs de canal P moldados em epóxi fabricado em uma caixa SOT-23, projetada para aplicações em amplificadores de baixo nível. CÓDIGOS DE MARCAÇÃO CMPFJ175: 6W CMPFJ176: 6X ...
Central Semiconductor
Tensão: 30 V
... DESCRIÇÃO: O SEMICONDUTOR CENTRAL CMPFJ175 e o CMPFJ176 são JFETs de canal P moldados em epóxi fabricado em uma caixa SOT-23, projetada para aplicações em amplificadores de baixo nível. CÓDIGOS DE MARCAÇÃO CMPFJ175: 6W CMPFJ176: 6X ...
Central Semiconductor
Tensão: 40 V
... DESCRIÇÃO: O SEMICONDUTOR CENTRAL CMPP6027 e CMPP6028 são transistores unidirecionais programáveis de silício, fabricados em um pacote SOT-23 de montagem superficial, projetados para características ajustáveis ...
Central Semiconductor
Corrente: 200 mA
Tensão: 40 V
... DESCRIÇÃO: O SEMICONDUTOR CENTRAL CMLM0405 é um transistor NPN único e um díodo Schottky embalado em uma caixa SOT-563 com economia de espaço e projetada para pequenas aplicações de uso geral de sinal onde o tamanho e ...
Central Semiconductor
Corrente: 1 A
Tensão: 25, 40, 6 V
... Câmeras Digitais, Pagers, PDAs, Notebooks, etc. CARACTERÍSTICAS - Dispositivo de duplo chip - Transistor de Corrente Alta (1.0A) e Retificador Schottky - Transistor NPN de baixo VCE(SAT) (450mV @ IC=1.0A ...
Central Semiconductor
Corrente: 1 A - 5 A
Tensão: 12 V - 400 V
... mercado quando se trata de transistores bipolares. Ao utilizar sua ampla linha de embalagem interna e tecnologia de silício superior, Diodos está idealmente posicionado para atender às suas necessidades ...
Diodes Incorporated
Tensão: 50, 100 V
... O FMMT413 é um transistor bipolar plano de silício NPN otimizado para operação em modo avalanche. O controle rigoroso do processo e a embalagem de baixa indutância se combinam para produzir pulsos de ...
Diodes Incorporated
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