Concentração de dopagem 0,2-25 atm. %
Distorção da frente de onda ≤λ/8 @ 633nm
Relação de Extinção ≥28 dB
Tolerâncias Dimensionais Diâmetro: +0,0 mm/-0,05 mm,
Comprimento: +0,0 mm/-0,10 mm
Tolerâncias Dimensionais Comprimento: ±1 mm
Erro de paralelismo ≤ 10 arcsec
Perpendicularidade ≤ 10 arcmin
Planicidade ≤λ/10 @ 633nm
Qualidade da superfície 10-5 S-D
É mais adequado para o bombeamento de diodos do que os sistemas tradicionais Nd-doped. Pode ser bombeado em 0.94 μm saída laser. Comparado com o cristal Nd:YAG comumente usado, o cristal Yb:YAG tem uma largura de banda de absorção muito maior para reduzir os requisitos de gerenciamento térmico para lasers de diodo, uma vida útil superior mais longa, uma carga térmica três a quatro vezes menor por unidade de potência da bomba. Espera-se que o cristal Yb:YAG substitua o cristal Nd:YAG por lasers bombeados por diodos de alta potência e outras aplicações potenciais.
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