Módulo de memória DDR3 DDR3 8Gbit

Dado que o mercado das DRAM faz uma migração constante para a memória DDR4, vários fabricantes importantes já anunciaram a produção em fim de vida (EOL) de módulos DDR3 baseados em componentes DDR3 de 8 Gbit de alta densidade, incluindo o aviso EOL dos componentes. No entanto, um número considerável de clientes nos setores de rede e integração ainda não consegue migrar para a última geração e continuar a usar sistemas legados que exigem memória DDR3 específica, como VLP RDIMMs ou SO-DIMMs de alta densidade. A fim de evitar uma escassez da oferta susceptível de afectar negativamente as actividades comerciais destes clientes, a ATP decidiu fornecer os seus próprios componentes DDR3 de 8 Gbit para estes módulos. Construído em ATP, Caracterizado e Testado de IC a Módulo Os módulos DDR3 próprios da ATP consistem em circuitos integrados (ICs) de alta qualidade meticulosamente caracterizados e testados. Os componentes são fabricados de acordo com os padrões exigentes da ATP usando tecnologia de processo de fabricação de 2x nm e são testados através de um extenso programa de teste de componentes para melhorar o desempenho geral do módulo de memória. Os componentes de ATP DDR3 8 Gbit estão livres de efeitos de martelo de linha, impedindo assim qualquer desastroso bit aleatório flips causados pela carga elétrica de células vazando para células adjacentes e sucessivamente escrevendo dados para eles. Ao nível do módulo, a ATP implementa um teste de 100% durante o burn-in (TDBI) no fluxo de produção para garantir o módulo de alta qualidade. Principais Características Construído em ATP, Caracterizado e Testado de IC a Módulo Teste de 100% durante a queima (TDBI) Disponível em monolítico 8 Gb com seleção de um chip (1CS) Disponível em 8 Gb DDP DDP com seleção de dois chips (2CS) Suporte à longevidade