A Avago possui um extenso portfólio de Transistores Bipolares RF de Silício e FETs de GaAs
Os transistores GaAs FET RF são ideais para o primeiro ou segundo estágio da estação base LNA devido à excelente combinação de baixo ruído e linearidade aprimorada
Os transistores bipolares de RF Avagos oferecem alto desempenho otimizado para o máximo de fT em operação de baixa tensão, tornando-os ideais para uso em aplicações alimentadas por bateria em mercados sem fio.
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