Detector de infravermelho

com semicondutor

Aplicação Os detectores de infravermelhos HPGe de alta sensibilidade destinam-se à Fluorescência NIR ou espectroscopia Raman e aplicações semelhantes na região espectral de 850 nm a 1,7 µm Características - A mais alta sensibilidade - Baixo nível de ruído - Faixa de frequência até 300 Hz - LN2 estágio de entrada eletrônica resfriada (FET e resistor de feedback) - Janela RG 850 com revestimento anti-reflexo - Pré-amplificador com monitor de temperatura - Vários tipos de recipientes Dewar estão disponíveis DESCRIÇÃO Os detectores infravermelhos HPGe destinam-se à Fluorescência NIR ou espectroscopia Raman e aplicações semelhantes na região espectral de 850 nm a 1,7 µm. CONJUNTO COMPLETO - Detector HPGe IR em criostato e LN2 Dewar - Pré-amplificador de baixo ruído com alimentação de polarização HV para detector