Linha de metalização para células solares Meco DPL

por metalização direta

Para a próxima geração de células solares de silício onde a camada SiNx foi aberta por ablação a laser a Linha de Revestimento Directo Meco (DPL) pode revestir uma camada densa de Ni-Ag, Ni-Cu-Ag ou Ni-Cu-Sn em emissores altamente óhmicos. Isso resulta em um aumento de eficiência de até 1% (abs.) e uma tremenda redução de custos (US$/Wp), pois não é mais necessária pasta Ag para a metalização das frentes. Características principais - Manuseio vertical do produto - Baixo arrastamento de produtos químicos para revestimento - Projeto de máquina compacta/fácil de manter - Processo de chapeamento em linha/tempo elevado - Melhoria da eficiência : até 1 % (abs.) com metalização directa - Lista de Materiais (BoM) até 0.05 US$/Wp mais baixa já que não é necessário mais Ag para a metalização de frontside - Conceito de máquina comprovado (> 350 máquinas na indústria de semicondutores) - Início do processo pela Meco Especificações - Tamanho da célula: 5 x 5", 6 x 6" - Opções de metal: Ni-Ag, Ni-Cu-Ag ou Ni-Cu-Sn - Camada de sementes: Emissor de silício (< 120 Ohm/quadrado) - Velocidade do processo : 1.500 - 3.000 UPH (linha piloto : 100 - 500 UPH) - Capacidade de produção: 50 - 100 MW - O aumento da eficiência celular: Até 1% (abs.) - Poupança em pasta Ag: 100%