Para as células solares de silício da próxima geração, em que a camada de SiNx foi aberta por ablação a laser, a Linha de Metalização Direta (DPL) da Meco pode metalizar uma camada densa de Ni-Ag, Ni-Cu-Ag ou Ni-Cu-Sn em emissores de alto teor óhmico. Isto resulta num aumento da eficiência até 1% (abs.) e numa enorme redução de custos (US$/Wp), uma vez que já não é necessária pasta de Ag para a metalização da parte frontal.
Caraterísticas principais
-Manuseamento vertical do produto
-Baixo arrastamento de produtos químicos de galvanização
-Design compacto da máquina/fácil de manter
-Processo de metalização em linha/tempo de funcionamento elevado
-Melhoria da eficiência: até 1 % (abs.) com metalização direta
-Bill of Materials (BoM) até 0,05 US$/Wp mais baixo, uma vez que não é necessário mais Ag para a metalização frontal
-Conceito de máquina comprovado (> 350 máquinas na indústria de semicondutores)
-Início do processo pela Meco
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