Transistor com transistor bipolar de porta isolada BID series de comutação
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Características
- Tipo
- com transistor bipolar de porta isolada
- Tipo
- de comutação
- Corrente
5 A, 20 A, 30 A, 50 A
- Tensão
600 V
Descrição
O IGBT discreto da série BID da Bourns® combina a tecnologia de uma porta MOS e de um transístor bipolar, criando o componente certo para aplicações de alta tensão e alta corrente. Este dispositivo utiliza a tecnologia avançada Trench-Gate Field-Stop, que proporciona um maior controlo das características dinâmicas, resultando numa tensão de saturação coletor-emissor mais baixa (VCE(sat)) e menos perdas de comutação. Além disso, esta estrutura aumenta a robustez do dispositivo e proporciona um RTH mais baixo. A solução IGBT da Bourns® é adequada para aplicações SMPS, UPS e PFC.
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Catálogos
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