Espectrômetro de massa IMS Wf & SC Ultra

de mobilidade iônicade processopara a indústria dos semicondutores

SIMS de Alto Desempenho e Baixo Consumo para Aplicações de Semicondutores Avançados A IMS Wf e a SC Ultra foram projetadas especificamente para atender às crescentes necessidades de medições dinâmicas da SIMS em semicondutores avançados. Oferecendo uma grande variedade de energias de impacto (100 eV a 10 keV) sem comprometer a resolução em massa e a densidade do feixe principal, elas garantem um desempenho analítico incomparável e alto rendimento para as aplicações mais difíceis: implantes extrarrasos e de alta energia, óxidos de nitreto ultrafinos, HKMG, camadas revestidas de SiGe, estruturas Si:C:P, dispositivos PV e LED, grafeno, etc... Da perfilometria- padrão em profundidade à ultrarrasa O primeiro requisito para a análise de semicondutores avançados é a otimização das condições analíticas da SIMS para a perfilometria em profundidade ultrarrasa, sem abrir mão das aplicações de perfilometria-padrão. A CAMECA desenvolveu, portanto, um projeto exclusivo de equipamento SIMS capaz de pulverizar amostras com uma grande variedade de energias de impacto: de alta energia (faixa de keV) para estruturas espessas até energias ultrabaixas (≤ 150 eV) para estruturas ultrafinas. Essa flexibilidade na escolha da energia de impacto está disponível para diferentes condições de pulverização bem controladas (espécie, ângulo de incidência, etc...). O IMS Wf e o SC Ultra da CAMECA são os únicos equipamentos SIMS que oferecem a EXtreme Low Impact Energy (EXLIE) (energia de impacto extremamente baixa) sem comprometer a alta resolução de massa e a alta transmissão.