Espectrômetro de massa SIMS 4550

de massa com ionização secundáriapara a indústria dos semicondutoresPMT

Quadrupole SIMS Dopant Depth Profiling e Análise de Camada Fina em Semicondutores A CAMECA SIMS 4550 oferece recursos estendidos para perfis de profundidade ultra rasos, elementos traço e medições de composição de camadas finas em Si, high-k, SiGe e outros materiais compostos, como III-V para dispositivos ópticos. Alta resolução de profundidade e alta produtividade Com dimensões de dispositivo cada vez mais reduzidas, os perfis do implante e a espessura da camada dos semicondutores atuais estão frequentemente na faixa de 1-10nm. O SIMS 4550 foi otimizado para atender a esses campos de aplicação, oferecendo oxigênio e césio feixe primário de alta densidade com uma energia de impacto programável de 5keV até menos de 150eV. Flexibilidade O SIMS 4550 da CAMECA é uma ferramenta SIMS dinâmica que oferece total flexibilidade em condições de pulverização catódica (ângulo de impacto, energia, espécie). Com opções dedicadas para compensação de carga (pistola eletrônica, laser) durante a pulverização catódica de amostras, os materiais isolantes podem ser facilmente analisados. O SIMS 4550 mede a espessura da camada, alinhamento, abrupta, integridade, uniformidade e estequiometria. Os suportes de amostras podem acomodar uma variedade de amostras: pequenos pedaços de alguns mm² até 100 mm de diâmetro da amostra.