MOSFET CDM22010-650

DESCRIÇÃO: O SEMICONDUTOR CENTRAL CDM22010-650 é um MOSFET de alta corrente, 650 Volt N-Canal de potência, concebido para aplicações de alta tensão e comutação rápida, tais como Correcção do Factor de Potência (PFC), iluminação e inversores de potência. Este MOSFET combina alta capacidade de tensão com baixa rDS(ON), baixa tensão de limiar e baixa carga de porta. CÓDIGO DE MARCAÇÃO: CDM10-650 CANDIDATURAS: - Correcção do Factor de Potência - Acionamentos motorizados - Inversores de energia alternativa - Iluminação de estado sólido CARACTERÍSTICAS: - Capacidade de alta tensão (VDS=650V) - Baixa carga da porta (Qgs=8.0nC) - Baixa rDS(ON) (0.88Ω)