Transistor MOSFET e NPN de canal N em um único pacote
Baixa Resistência a On-Resistência
Tensão muito baixa do limiar do portão, 1,0 V máx
Baixa capacitância de entrada
Velocidade de comutação rápida
Baixa Vazamento de Entrada/Saída
Pacote de Montagem em Superfície Ultra Pequena
Sem chumbo, halogéneo e antimónio, em conformidade com a Directiva RoHS (Nota 2)
Portão MOSFET protegido por ESD até 2kV
Dispositivo "Verde" (Nota 3)
Qualificado para os padrões AEC-Q101 para Alta Confiabilidade
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