O EVG810LT LowTemp™ Sistema de ativação de plasma é uma unidade autônoma de uma câmara com operação manual. A câmara de processo permite processos ex situ (as bolachas são ativadas uma a uma e ligadas fora da câmara de ativação do plasma).
Funcionalidades
Ativação de plasma de superfície para ligação a baixa temperatura (fusão/moléculas e camadas intermediárias)
A cinética mais rápida de qualquer mecanismo de ligação de wafer
Não são necessários processos húmidos
Maior força de ligação com recozimento a baixa temperatura (até 400°C)
Aplicável para SOI, MEMC, semicondutores compostos e ligação de substratos avançados
Alto grau de compatibilidade de materiais (incluindo CMOS)
Dados Técnicos
Diâmetro da pastilha (tamanho do substrato)
50 - 200, 100 - 300 mm
LowTemp™ câmara de ativação de plasma
Gases de processo: 2 gases de processo padrão (N2 e O2)
Controlador universal de fluxo de massa: auto-calibrável (até 20.000 sccm)
Sistema de vácuo: 9x10-2 mbar
Abertura / fechamento da câmara: automatizado
Carga/descarga da câmara: manual (wafer / substrato colocado nos pinos de carga)
Características opcionais
Mandril para diferentes tamanhos de wafer
Activação sem iões metálicos
Gases de processo adicionais com mistura de gases
Sistema de alto vácuo com bomba turbo: 9x10-3 mbar de pressão base
---