A família de SRAM série da ON Semiconductor inclui vários dispositivos de memória integrados, incluindo esta memória de acesso aleatório estático de 1 Mb acedida em série, organizada internamente como 128 K palavras por 8 bits. Os dispositivos são concebidos e fabricados utilizando a tecnologia CMOS avançada da ON Semiconductor para proporcionar um desempenho de alta velocidade e baixa potência. Os dispositivos funcionam com uma única entrada de seleção de chip (CS) e utilizam um protocolo SPI (Serial PeripheralInterface) simples. No modo SPI, uma única linha de entrada de dados (SI) e saída de dados (SO) é utilizada juntamente com o relógio (SCK) para aceder aos dados dentro do dispositivo. No modo DUAL, são utilizadas duas linhas multiplexadas de entrada/descida de dados (SIO0-SIO1) e no modo QUAD, são utilizadas quatro linhas multiplexadas de entrada/descida de dados (SIO0-SIO3) juntamente com o relógio para aceder à memória. Os dispositivos podem funcionar numa vasta gama de temperaturas de -40°C a +85°C e estão disponíveis numa embalagem TSSOP de 8 vias.
Produtos finais
Monitor de pacientes
Medidor inteligente
Dispositivo de monitorização cardíaca
Gravador de eventos
Sistema de alarme
Interface MP3 para automóveis
Dispositivo de monitorização médica
Controlador de jogos
Câmara IP Buffer
Carregador de bateria
Sistema recetor de laser
Rastreio de infractores por GPS
Controlador lógico programável
Rádio IP
Características
Gama de alimentação eléctrica: 1.7 a 2,2 V
Corrente de espera típica muito baixa: <1 µA
Corrente de funcionamento muito baixa < 10 mA
Interface serial simples:
- Acesso SPI de um bit
- Acesso tipo SPI de DUAL-bit e QUAD-bit
Modos de funcionamento flexíveis - Modo de palavra - Modo de página - Modo Burst (Full Array)
Operação de leitura e escrita de alta frequência
- Frequência de relógio de 20 MHz
Proteção contra escrita incorporada (CS High)
Elevada fiabilidade - Ciclos de escrita ilimitados
Estes dispositivos são isentos de Pb e estão em conformidade com a RoHS - TSSOP verde
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