Fotodiodo InGaAs G14858-0020AA
de avalanche

fotodiodo InGaAs
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Características

Especificações
InGaAs, de avalanche

Descrição

InGaAs APD que reduz muito a corrente escura Este APD (fotodiodo avalanche) do InGaAs reduz muito a corrente escura sobre os produtos existentes através do uso de uma nova estrutura de dispositivos e de um melhor processamento. O G14858-0020AAA é usado para medição de distância, detecção de nível de luz baixo, e assim por diante. Características - Baixa corrente escura - Baixa capacitância - Alta sensibilidade Especificações Número de elementos : 1 Área fotossensível : φ0.2 mm Embalagem : Metal Categoria do pacote : TO-18 Faixa de resposta espectral : 950 a 1700 nm Comprimento de onda de máxima sensibilidade (digite) : 1550 nm Fotosensibilidade (digite) : 0.8 A/W Corrente escura (máx.) : 50 nA Frequência de corte (tip.) : 900 MHz Capacidade do terminal (digite) : 2 pF Tensão de ruptura (digitar) : 65 V Coeficiente de temperatura da tensão de ruptura (tip.) : 0,1 V/℃ Condição de medição : Ta=25℃, Photosensitivity: λ=1.55 μm, M=1

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Catálogos

* Os preços não incluem impostos, transporte, taxas alfandegárias, nem custos adicionais associados às opções de instalação e de ativação do serviço. Os preços são meramente indicativos e podem variar em função dos países, do custo das matérias-primas e das taxas de câmbio.