Módulo fotodiodo de avalanche (APD) S2384

módulo fotodiodo de avalanche (APD)
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Descrição

Operação de baixo viés, para banda de 800 nm - Operação estável com baixo viés - Resposta a alta velocidade - Alta sensibilidade e baixo ruído Tipo : Tipo quase infravermelho (Operação de baixo viés) Área fotossensível : φ3 mm Embalagem : Metal Categoria do pacote : TO-5 Comprimento de onda de máxima sensibilidade (digite) : 800 nm Faixa de resposta espectral : 400 a 1000 nm Fotosensibilidade (digite) : 0.5 A/W Corrente escura (máx.) : 10 nA Frequência de corte (tip.) : 120 MHz Capacidade do terminal (digite) : 40 pF Tensão de ruptura (digitar) : 150 V Coeficiente de temperatura da tensão de ruptura (tip.) : 0,65 V/℃ Ganho (digite) : 60 Condição de medição : Tipo. Ta=25 ℃, salvo indicação em contrário, Fotosensibilidade: λ=800 nm, M=1

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Catálogos

Si APD
Si APD
16 Páginas
* Os preços não incluem impostos, transporte, taxas alfandegárias, nem custos adicionais associados às opções de instalação e de ativação do serviço. Os preços são meramente indicativos e podem variar em função dos países, do custo das matérias-primas e das taxas de câmbio.