Espectrômetro de massa com ionização secundária SIMS Workstation
para análisemóvelde alta sensibilidade

Espectrômetro de massa com ionização secundária - SIMS Workstation - Hiden Analytical - para análise / móvel / de alta sensibilidade
Espectrômetro de massa com ionização secundária - SIMS Workstation - Hiden Analytical - para análise / móvel / de alta sensibilidade
Espectrômetro de massa com ionização secundária - SIMS Workstation - Hiden Analytical - para análise / móvel / de alta sensibilidade - imagem - 2
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Características

Tipo
de massa com ionização secundária
Âmbito de utilização
para análise
Configuração
móvel
Outras características
de alta sensibilidade

Descrição

Um sistema de análise de superfícies UHV para a caracterização da profundidade de películas finas A Hiden Analytical fornece instrumentação de alta sensibilidade extremamente versátil para análises SIMS (espectrometria de massa de iões secundários) dinâmicas e estáticas de alto desempenho, revelando novos níveis de precisão em aplicações de ponta. Com uma gama alargada e a capacidade de adquirir e identificar iões secundários positivos (+ve) e negativos (-ve), a estação de trabalho SIMS é uma solução abrangente para aplicações de análise de composição e perfil de profundidade. Para a análise simultânea de iões +ve e -ve num pacote SIMS abrangente, a Hiden Analytical também desenvolveu a inovadora estação de trabalho Hi5 SIMS. Para mais informações, consulte a nossa literatura de produtos abaixo. A espectrometria de massa de iões secundários, ou SIMS, é uma das técnicas mais sensíveis alguma vez desenvolvidas para interrogar as camadas superficiais mais elevadas de um material, desde profundidades de várias centenas de nanómetros (nm) até uma única camada atómica. Pode obter dados de composição até ao intervalo de partes por bilião (ppb) e é compatível com qualquer material que possa ser testado de forma fiável em condições de vácuo. Consequentemente, os instrumentos SIMS são utilizados por rotina para analisar cerâmicas, metais, materiais orgânicos, polímeros, semicondutores e outros. Esta técnica divide-se em duas metodologias distintas: SIMS dinâmico e estático. Cada uma delas utiliza um feixe de iões primários que incide sobre uma amostra em condições de vácuo, provocando a ablação de volumes extremamente pequenos de material da superfície - uma fracção deste material ejectado será ionizada.

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VÍDEO

* Os preços não incluem impostos, transporte, taxas alfandegárias, nem custos adicionais associados às opções de instalação e de ativação do serviço. Os preços são meramente indicativos e podem variar em função dos países, do custo das matérias-primas e das taxas de câmbio.