Seja um expositor
*mydirectindustry  
português
  1. Eletricidade - Eletrônica
  2. Componente Eletrônico
  3. Transistor MOSFET
  4. Infineon Technologies AG
video corpo

Transistor MOSFET IPD900P06NM
de potênciade comutaçãode avalanche

transistor MOSFET
transistor MOSFET
Guardar nos favoritos
Comparar
 

Características

Tipo
MOSFET
Tipo
de potência, de comutação
Outras características
de avalanche, para aplicações automotivas
Corrente

-16,4 A

Tensão

-60 V

Descrição

MOSFETs de canal P em nível normal e lógico, reduzindo a complexidade do projeto em aplicações de média e baixa potência Os MOSFETs OptiMOS™ de canal P de 60V em pacote DPAK representam a nova tecnologia destinada a aplicações de gestão de baterias, comutação de carga e proteção contra polaridade inversa. A principal vantagem de um dispositivo de canal P é a redução da complexidade do projeto em aplicações de média e baixa potência. A sua interface fácil com o MCU, a comutação rápida, bem como a robustez de avalanche tornam-no adequado para aplicações exigentes de alta qualidade. Está disponível em nível normal e lógico, apresentando uma ampla gama de RDS(on) e melhora a eficiência em cargas baixas devido ao baixo Qg. Resumo das características: Ampla gama de RDS(on) Disponibilidade em nível normal e nível lógico Vantagens: Interface fácil para MCU Eficiência melhorada em cargas baixas devido ao baixo Qg Comutação rápida Robustez de avalanche Aplicações potenciais Bateria Consumo Automação industrial Accionamentos industriais

---

Tradução automática  (ver texto original em inglês)

Catálogos

IPD900P06NM
IPD900P06NM
10 Páginas

Outros produtos Infineon Technologies AG

Power MOSFET

Ver todos os produtos Infineon Technologies AG
* Os preços não incluem impostos, transporte, taxas alfandegárias, nem custos adicionais associados às opções de instalação e de ativação do serviço. Os preços são meramente indicativos e podem variar em função dos países, do custo das matérias-primas e das taxas de câmbio.