Transistor MOSFET IPAN60R180P7S

de potênciade comutação

O MOSFET de superjunção 600V CoolMOS™ P7 é o sucessor da série 600V CoolMOS™ P6. Continua a equilibrar a necessidade de alta eficiência com a facilidade de utilização no processo de design. O melhor RonxA da classe e a carga de porta inerentemente baixa (QG) da plataforma CoolMOS™ de 7ª geração garantem sua alta eficiência. Resumo das características: Eficiência 600V P7 permite excelente FOM RDS(on)xEoss e RDS(on)xQG Facilidade de utilização Díodo ESD integrado a partir de 180mN e acima de RDS(on)s Resistência de porta integrada RG Díodo de corpo robusto Vasta gama de produtos em embalagens com orifício de passagem e montagem em superfície Estão disponíveis peças de qualidade standard e de qualidade industrial Vantagens: Eficiência Os excelentes FOMs RDS(on)xQG / RDS(on)xEoss permitem uma maior eficiência Fácil de utilizar Facilidade de utilização em ambientes de fabrico, impedindo a ocorrência de falhas de ESD O RG integrado reduz a sensibilidade de oscilação do MOSFET O MOSFET é adequado para topologias de comutação rígidas e ressonantes, como PFC e LLC Excelente robustez durante a comutação rígida do díodo de corpo, observada na topologia LLC Adequado para uma grande variedade de aplicações finais e potências de saída Peças disponíveis adequadas para aplicações industriais e de consumo Aplicações potenciais Fonte de alimentação para TV SMPS industrial Servidores Telecomunicações Iluminação