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Transistor MOSFET ISP25DP06NM
de potênciade comutaçãode avalanche

transistor MOSFET
transistor MOSFET
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Características

Tipo
MOSFET
Tipo
de potência, de comutação
Outras características
de avalanche
Corrente

-1,9 A

Tensão

-60 V

Descrição

Os MOSFETs OptiMOS™ de canal P no pacote SOT-223 são ideais para aplicações de comutação de carga, gerenciamento de bateria e proteção contra polaridade reversa. A principal vantagem dos MOSFETs de canal P OptiMOS™ é a simplificação da complexidade do projeto em aplicações de média e baixa potência. A sua fácil interface com a unidade de microcontrolador (MCU), a comutação rápida e a robustez de avalanche tornam os MOSFETs de canal P OptiMOS™ da Infineon adequados para aplicações exigentes de alta qualidade. Os produtos melhoram a eficiência em cargas baixas devido ao baixo Qg e estão disponíveis em nível normal e lógico, apresentando uma ampla faixa de RDS(on). Resumo das características: Ampla gama de RDS(on) Disponibilidade em nível normal e nível lógico Vantagens: Interface fácil para MCU Eficiência melhorada em cargas baixas devido ao baixo Qg Comutação rápida Robustez de avalanche Aplicações alvo: Bateria Consumo Automação industrial Accionamentos industriais

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Tradução automática  (ver texto original em inglês)

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