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Transistor MOSFET IPD40DP06NM
de potênciade comutaçãode avalanche

transistor MOSFET
transistor MOSFET
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Características

Tipo
MOSFET
Tipo
de potência, de comutação
Outras características
de avalanche
Corrente

-4,3 A

Tensão

-60 V

Descrição

Os MOSFETs de canal P OptiMOS™ 60V em pacote DPAK representam a nova tecnologia destinada a aplicações de gestão de baterias, comutação de carga e proteção contra polaridade inversa. A principal vantagem de um dispositivo de canal P é a redução da complexidade do projeto em aplicações de média e baixa potência. A sua interface fácil com o MCU, a comutação rápida, bem como a robustez de avalanche tornam-no adequado para aplicações exigentes de alta qualidade. Está disponível em nível normal e lógico, apresentando uma ampla gama de RDS(on) e melhora a eficiência em cargas baixas devido ao baixo Qg. Resumo das características: Ampla gama de RDS(on) Disponibilidade em nível normal e nível lógico Vantagens: Interface fácil para MCU Eficiência melhorada em cargas baixas devido ao baixo Qg Comutação rápida Robustez de avalanche Aplicações potenciais Bateria Consumo Automação industrial Accionamentos industriais Accionamentos industriais

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Tradução automática  (ver texto original em inglês)

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