Transistor IGBT IKP28N65ES5
de potênciade comutação

Transistor IGBT - IKP28N65ES5 - Infineon Technologies AG - de potência / de comutação
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Características

Tipo
IGBT
Tipo
de potência, de comutação
Corrente

28 A

Tensão

650 V

Descrição

O IGBT TRENCHSTOP™ 5 S5 de comutação rígida numa pequena embalagem TO-220 destina-se a aplicações de comutação entre 10 kHz e 40 kHz para proporcionar uma elevada densidade de corrente, elevada eficiência, ciclos de colocação no mercado mais rápidos, redução da complexidade do design do circuito e otimização dos custos da lista de materiais da placa de circuito impresso. Resumo das características VCEsat muito baixo de 1,5 V a 25°C 4 vezes a corrente de impulso Ic (100°C Tc) Características de queda de corrente suave sem corrente de cauda Sobretensão simétrica e baixa Tensão de porta sob controlo (sem oscilação). Sem risco de ativação indesejada do dispositivo e sem necessidade de fixação da porta Temperatura máxima de junção Tvj = 175°C Qualificado de acordo com as normas JEDEC Vantagens A mais elevada densidade de potência numa pegada TO-220 Não são necessários circuitos de fixação de VCEpeak Não são necessários componentes de fixação de porta Bom comportamento EMI Excelente para ligação em paralelo Aplicações Carregamento de veículos eléctricos Fotovoltaica Fontes de alimentação ininterrupta (UPS)

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