Transistor de efeito de campo PDHS545-NB195-S03-RA
IGBTIGBT em trincheirade potência

Transistor de efeito de campo - PDHS545-NB195-S03-RA - JC CHERRY INC. - IGBT / IGBT em trincheira / de potência
Transistor de efeito de campo - PDHS545-NB195-S03-RA - JC CHERRY INC. - IGBT / IGBT em trincheira / de potência
Guardar nos favoritos
Comparar
 

Características

Tipo
IGBT, IGBT em trincheira, de efeito de campo
Tipo
de potência

Descrição

Tomada de dispositivo de alta corrente Alta temperatura 5.passo de 45mm Ângulo reto Baixa emissão de gases Este é um soquete que pode corresponder ao arranjo da placa de PC com restrições de altura, girando o dispositivo para o lado. suporta vários pacotes e suporta ambientes de alta temperatura. pode ser utilizado para vários fins, como avaliação de medições, inspeção e montagem. é utilizada uma tomada de pino redondo altamente fiável para a parte de contacto. TO-3、TO-247、TO-264 etc. Resistência dieléctrica - Resistência de isolamento - Manga - Latão, revestimento Au sobre Ni Contacto - Liga de cobre de alta temperatura, revestimento Au sobre Ni Isolador - Alta temperatura, termoplástico * Quando instalar o dissipador de calor na parte de trás da placa de circuito impresso ou do dispositivo, tenha em atenção a posição e as dimensões. ** Se montar a tomada por si só, esta será mais fina do que o dispositivo, por isso tenha cuidado. Defina o dispositivo a utilizar, o dissipador de calor, etc., e depois ajuste a altura antes da montagem *** O dissipador de calor também pode ser montado com a parte de trás do dispositivo (lado da dissipação de calor) virada para cima.

---

VÍDEO

Catálogos

* Os preços não incluem impostos, transporte, taxas alfandegárias, nem custos adicionais associados às opções de instalação e de ativação do serviço. Os preços são meramente indicativos e podem variar em função dos países, do custo das matérias-primas e das taxas de câmbio.