Transistor IGBT XPT™ series

de potência

Concebidos utilizando a tecnologia proprietária XPT™ de camada fina e o processo IGBT de última geração, estes dispositivos apresentam qualidades como resistência térmica reduzida, baixa corrente de cauda, baixa perda de energia e capacidade de comutação de alta velocidade. Graças ao coeficiente de temperatura positivo da sua tensão no estado ativo, estes IGBTs de alta tensão podem ser utilizados em paralelo, o que proporciona soluções económicas em comparação com dispositivos de baixa tensão ligados em série. Consequentemente, isto resulta na redução do circuito de acionamento da porta associado, na simplicidade do design e na melhoria da fiabilidade do sistema global. Os díodos de recuperação rápida opcionais em conjunto têm um tempo de recuperação inversa baixo e são optimizados para produzir formas de onda de comutação suaves e uma interferência electromagnética (EMI) significativamente menor. Caraterísticas: Tecnologia XPT™ de bolacha fina Baixas tensões no estado VCE(sat) Díodos de recuperação rápida co-embalados Coeficiente de temperatura positivo de VCE(sat) Pacotes de alta tensão de tamanho padrão internacional Aplicações: Circuitos de pulsadores Geradores de laser e de raios X Fontes de alimentação de alta tensão Equipamentos de teste de alta tensão Circuitos de descarga de condensadores Comutadores CA