Fototransistor SMD OIT25C
em silício

fototransistor SMD
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Características

Outras características
SMD, em silício
Corrente

1 mA

Tensão

80 mV

Descrição

OIT29 3-ch. matriz de fototransistor 0.60mm passo óptico na embalagem plástica SMD Descrição Geral OIT29 consiste em um silício de três elementos a matriz monolítica do fototransistor. Os fototransistores têm um colector comum, todos os emissores estão disponíveis como um bloco. O passo das matrizes de silício é de 0,6 mm, enquanto o passo elétrico do componente é de 1,27 mm. A área ativa de cada elemento é de 0,2 x 0,45 mm. O encapsulante é uma resina de silicone transparente microeletrônica de alta qualidade: seu valor de transmissão é superior a 95% entre 300nm e 400nm, enquanto está muito próximo de 100% na faixa de 400-900nm. Os fototransistores têm um revestimento anti-reflexo que garante uma boa banda espectral com (500-950nm) com uma resposta de pico a 755nm. As principais vantagens deste dispositivo são a alta uniformidade dos sensores de silício em todos os parâmetros elctro-ópticos, devido à construção monolítica e a alta responsividade óptica, devido ao revestimento anti-reflexo depositado nas áreas do fototransistor Aplicações Codificadores ópticos Codificadores incrementais Receptores Ópticos Controles/manobras Características Alta uniformidade de células de silício Resina de alta transparência Alto ganho Dimensões muito pequenas Pontos de referência em camada de ouro para um alinhamento muito preciso Furos de referência na armação para alinhamento mecânico

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Catálogos

OIT25C
OIT25C
3 Páginas
OIT25C-NR
OIT25C-NR
3 Páginas
* Os preços não incluem impostos, transporte, taxas alfandegárias, nem custos adicionais associados às opções de instalação e de ativação do serviço. Os preços são meramente indicativos e podem variar em função dos países, do custo das matérias-primas e das taxas de câmbio.