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- Fototransistor bipolar
- OSRAM Opto Semiconductors
Fototransistor NPN Metal Can TO18em silício
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Características
- Tipo
- NPN
- Outras características
- em silício
- Corrente
0,01 mA, 0,2 mA, 1,65 mA
Descrição
Tempo de queda
tf
8.0 µs
Tempo de subida
tf
8.0 µs
Gama espetral de sensibilidade tip.
λ10% min.
450 nm
λ10% max.
1100 nm
Área sensível à radiação
A
0.11 mm²
Ângulo do feixe
∢
110 °
Dimensão
l
5.35 mm
w
5.35 mm
h
3.3 mm
Temperatura de funcionamento
Top min.
-40 °C
Top max.
80 °C
Campos de aplicação
Industrial
Automação de fábricas
---
Catálogos
Infrared Components
62 Páginas
SFH 464
14 Páginas
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Photodetectors
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