Módulo MOSFET de potência APV1111GVY
de comutaçãopor resistência elétrica

módulo MOSFET de potência
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Características

Tipo
de potência, de comutação
Outras características
por resistência elétrica
Corrente

MÍN: 10 mA

MÁX: 550 mA

Tensão

MÍN: 60.000 mV

MÁX: 1.500.000 mV

Descrição

O Driver Fotovoltaico Panasonic MOSFET High Power Driver está disponível em um pacote de tamanho pequeno (SSOP) com maior corrente de curto-circuito e tensão de saída para o portão do MOSFET. Capaz de conduzir MOSFETs de alta potência como SiC MOSFETs, este Driver é capaz de altas capacidades de chaveamento a altas velocidades de chaveamento. A substituição de um Relé Eletromecânico padrão por PhotoMOS® pode proporcionar benefícios adicionais, tais como maior ciclo de vida, melhor resistência ao choque e vibração, baixa resistência On-resistance e um ciclo de vida teoricamente infinito. Isto torna os relés PhotoMOS® uma solução muito boa para sistemas de monitoramento de baterias, testes e medições, energia elétrica e mercados industriais. Pacote SSOP miniatura Operação MOSFET de Alta Velocidade Número de peça APV1111GVY para corrente de saída elevada Baixa Resistência do MOSFET Número de peça APV3111GVY para Alta Tensão de Saída Tamanho da Embalagem Pequena Corrente Superior de Curto-circuito Maior Tensão de Saída Altas velocidades de comutação Em conformidade com RoHS/REACH Poupança de Espaço no Quadro Classificações de Segurança Mais Elevadas Trocar MOSFETs de maior valor nominal Redução do tempo de operação

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