- Eletricidade - Eletrônica
- Componente Eletrônico
- Chip de fotodíodo
- PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
Chip PON XSJ-10-APD5-40de fotodíodo
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Características
- Especificações
- de fotodíodo, PON
Descrição
Este chip de fotodiodo de avalanche de 10Gbps (chip APD) é um tipo de estrutura de eletrodo Ground-Signal-Ground (GSG), com tamanho de área ativa iluminada no topo é Φ40μm. As caraterísticas deste produto são alta multiplicação, baixa capacitância, alta largura de banda, baixo coeficiente de temperatura e excelente confiabilidade, aplicação em recetor ótico 10G SONET / SDH e 10G PON.
1. área ativa de 40pm.
2. Alta multiplicação.
3. Elevada taxa de dados.
4. Baixo coeficiente de temperatura.
5. Excelente fiabilidade: Todos os chips passaram os requisitos de qualificação especificados pela Telcordia -GR-468-CORE.
6. 100% de testes e inspeção.
Aplicações
10G SONET/SDH
10G PON
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