- Eletricidade - Eletrônica
- Componente Eletrônico
- Chip de fotodíodo
- PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
Chip de fotodíodo XSJ-10-APD6-16
Guardar nos favoritos
Comparar
Características
- Especificações
- de fotodíodo
Descrição
Este chip de fotodiodo de avalanche de 25Gbps (chip APD) é um tipo de estrutura de eletrodo Ground-Signal (GS), com tamanho de área ativa iluminada no topo é Φ16μm. As caraterísticas deste produto são alta multiplicação, baixa capacitância, alta largura de banda, baixo coeficiente de temperatura e excelente confiabilidade, aplicação em 25G EPON, 5G Wireless e 100GBASE-ER4.
1. Φ16μm de área ativa.
2. Alta multiplicação.
3. Alta taxa de dados: 25Gbps acima.
4. Baixa capacitância.
5. Baixo coeficiente de temperatura.
6. Excelente fiabilidade: Todos os chips passaram os requisitos de qualificação especificados pela Telcordia -GR-468-CORE.
7. 100% de testes e inspeção.
Aplicações
1. pON 25Gbps
2. 100GBASE-ER4（ER4-lite）
3. 5G sem fios.
---
Catálogos
Não estão disponíveis catálogos para este produto.
Ver todos os catálogos da PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.Outros produtos PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
5G/4G Communication Applications
Pesquisas relacionadas
* Os preços não incluem impostos, transporte, taxas alfandegárias, nem custos adicionais associados às opções de instalação e de ativação do serviço. Os preços são meramente indicativos e podem variar em função dos países, do custo das matérias-primas e das taxas de câmbio.