Matriz de fotodiodos de avalanche XSJ-10-APD3A-200X-K10
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Matriz de fotodiodos de avalanche - XSJ-10-APD3A-200X-K10 - PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD. - chip
Matriz de fotodiodos de avalanche - XSJ-10-APD3A-200X-K10 - PHOGRAIN TECHNOLOGY(SHENZHEN) CO., LTD. - chip
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Características

Especificações
de avalanche, chip

Descrição

O chip de fotodiodo de avalanche (chip APD) é um tipo de dispositivo ativo que fornece um ganho embutido e amplifica a fotocorrente. Os recursos deste produto 1X10 Array são ânodo na parte superior e cátodo na parte traseira, com área ativa iluminada na parte superior de Φ200μm para fácil montagem ótica; Alta responsividade, alto fator de multiplicação e baixa corrente escura. O pacote de chip APD de 1,25 Gbps de alto desempenho para tubo único TO-CAN pode melhorar a sensibilidade do recetor ótico, aplicações que OTDR. 1. Φ200μm área ativa, 1X10 Array. 2. Passo da matriz: 340μm. 3. Ânodo no topo e cátodo na parte de trás. 4. Corrente escura baixa. 5. Excelente capacidade de resposta e elevado ganho. 6. Taxa de dados até 1,25 Gbps. 7. Excelente fiabilidade: Todos os chips passaram os requisitos de qualificação especificados pela Telcordia -GR-468-CORE. 8. 100% de testes e inspeção. Aplicações 1. Reflectómetro ótico no domínio do tempo (OTDR). 2. Telémetro laser/medição de distâncias. 3. Transmissão espacial da luz. 4. Deteção de níveis de fraca luminosidade. 5. Alarme laser e LIDAR.

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