- Eletricidade - Eletrônica
- Componente Eletrônico
- Chip de fotodíodo
- PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
Chip de fotodíodo XSJ-10-D5-50AInGaAsInP
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Características
- Especificações
- de fotodíodo, InP, InGaAs
Descrição
Este chip de fotodiodo de alta taxa de dados de 10 Gbps é uma estrutura InGaAs / InP PIN e iluminada por cima. As caraterísticas são de alta responsabilidade, baixa capacitância, baixa corrente escura, o tamanho da área ativa é Φ50μm, ânodo e almofada de ligação catódica na parte superior para ligação de fio de pacote TO-CAN. Aplicação em recetor de 10Gbps.
1. Área ativa de Φ50μm.
2. Baixa capacitância.
3. Alta responsabilidade.
4. Baixa corrente de escuridão.
5. Excelente fiabilidade: Todos os chips passaram os requisitos de qualificação especificados pela Telcordia -GR-468-CORE.
6. Taxa de dados até 10 Gbps.
7. 100% de testes e inspeção.
Aplicações
1. Redes ópticas de longo curso.
2. ethernet 10G.
3. Datacom de fibra ótica.
5. WDM, ATM.
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