Este chip de fotodiodo de 3,1 Gbps é uma estrutura planar InGaAs / InP PIN e um chip de fotodiodo digital com iluminação superior, o tamanho da área ativa é Φ60μm. Essas caraterísticas são baixa corrente escura, baixa capacitância, alta capacidade de resposta e excelente confiabilidade. Aplicação em 3,1 Gbps e abaixo do recetor ótico e EPON ONU.
1. Área ativa de Φ60μm.
2. Alta responsabilidade.
3. Corrente escura baixa.
4. Largura de banda elevada.
5. Excelente fiabilidade: Todos os chips passaram os requisitos de qualificação especificados pela Telcordia -GR-468-CORE.
6. 100% de testes e inspeção.
Aplicações
1. recetor digital ≤3.1Gbps.
2. ONU EPON.
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