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- Componente Eletrônico
- Chip potência
- PHOGRAIN TECHNOLOGY（SHENZHEN） CO., LTD.
Chip potência XSJ-10-SPD-51de fotodíodoInGaAsInP
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Características
- Especificações
- de fotodíodo, potência, InP, InGaAs
Descrição
Este chip de fotodíodo de alta sensibilidade (chip super PD) tem uma estrutura planar InGaAs/InP. As suas caraterísticas são a elevada capacidade de resposta, a baixa capacitância e a baixa corrente de escuridão, aplicação no recetor GPON OUN de 2,5 Gbps. O chip PIN PD de 2,5 Gbps de alta sensibilidade que funciona com super TIA pode substituir o APD+TIA de 2,5 Gbps, reduzindo o custo e o consumo de energia da ONU.
1. Φ51μm área ativa.
2. Alta responsabilidade e baixa corrente escura.
3. Estrutura planar.
4. Corrente escura baixa.
5. Alta sensibilidade, funciona com super TIA pode substituir 2.5Gbps APD-TIA.
6. Taxa de dados até 2,5 Gbps.
7. Excelente fiabilidade: Todos os chips passaram os requisitos de qualificação especificados pela Telcordia -GR-468-CORE.
8. 100% de testes e inspeção.
Aplicações
1. recetor GPON ONU de 2,5 Gbps.
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