Matriz de fotodiodos XSJ-10-G6A-38H-K4

Descrição Este chip de fotodiodo de 4X25Gbps de alta taxa de dados é GaAs top- iluminação 1x4 Array PIN estrutura. As características são de alta responsabilidade, baixa capacitância e baixa corrente escura, o tamanho da área activa é Φ38μm, o sinal e ambas as almofadas de ligação à terra são concebidas no topo do chip para fácil ligação por fio, aplicação em 850nm 25Gbps de comunicação de dados de curto alcance, a dimensão do chip satisfaz os requisitos de embalagem para 25Gbps por módulo de canal ou receptor de Cabo Óptico Activo (AOC). Características Φ38μm área activa. Baixa capacitância. Baixa corrente escura. Alta responsabilidade. Taxa de dados: até 25Gbps acima por canal. Almofada de ligação Terra-Sinal-Terra e desenho de passivação fora da área da almofada de ligação. Passo do molde: 250μm Excelente fiabilidade: Todos os chips passaram os requisitos de qualificação especificados pela Telcordia -GR-468-CORE. 100% de testes e inspecção. Conformidade com RoHS2.0 (2011/65/EU). Aplicações Transceptor de comunicação de dados. receptor AOC (Cabo óptico activo) de 25Gbps a 850nm. sFP+ de 25Gbps. 4X25Gbps QSFP.